- Тип корпуса
- Производитель
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Тип транзистора
-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 20V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 1µA, 100nA
- Граничная частота: 100MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 20V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 1µA, 100nA
- Граничная частота: 100MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 20V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 1µA, 100nA
- Граничная частота: 100MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100