Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения IC(MAX) 100mA, 1.5A в корпусе 6-TSOP

Найдено: 3
  • TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSOP
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-74, SOT-457
    • Тип корпуса: 6-TSOP
    • Мощность - Макс.: 760mW
    • Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA, 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 65V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 5V / 140 @ 1A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A
    • Обратный ток коллектора: 1µA, 100nA
    • Граничная частота: 150MHz
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSOP
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-74, SOT-457
    • Тип корпуса: 6-TSOP
    • Мощность - Макс.: 760mW
    • Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA, 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 60V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 1A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A
    • Обратный ток коллектора: 1µA, 100nA
    • Граничная частота: 150MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS 1PNP 1PNP 6TSOP
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-74, SOT-457
    • Тип корпуса: 6-TSOP
    • Мощность - Макс.: 760mW
    • Тип транзистора: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA, 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 60V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 5V / 140 @ 1A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A
    • Обратный ток коллектора: 1µA, 100nA
    • Граничная частота: 150MHz
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: