Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения IC(MAX) 100mA в корпусе 6-TSOP

    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Package / Case
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 5
  • PIMH9,115
    TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSOP
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-74, SOT-457
    • Тип корпуса: 6-TSOP
    • Мощность - Макс.: 600mW
    • Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PIMD3,115
    TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSOP
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-74, SOT-457
    • Тип корпуса: 6-TSOP
    • Мощность - Макс.: 600mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PIMD3F
    TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSOP
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-74, SOT-457
    • Тип корпуса: 6-TSOP
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Граничная частота: 230MHz, 180MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PIMH9,115
    NOW NEXPERIA PIMH9 - SMALL SIGNA
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-74, SOT-457
    • Тип корпуса: 6-TSOP
    • Мощность - Макс.: 600mW
    • Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PIMD2,115
    TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSOP
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-74, SOT-457
    • Тип корпуса: 6-TSOP
    • Мощность - Макс.: 600mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100