- Тип корпуса
- Производитель
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Тип транзистора
-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
- Тип корпуса: 5-SSOP
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 400 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
- Тип корпуса: 5-SSOP
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100