- Производитель
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Тип транзистора
- Тип корпуса
-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: EMT3
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 70mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 68 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Серия: DTC143X
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-89, SOT-490
- Тип корпуса: EMT3F (SOT-416FL)
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased + Diode
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-85
- Тип корпуса: UMT3F
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 1kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SST3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 22kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: EMT6
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Усиление по току (hFE): 68 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-74A, SOT-753
- Тип корпуса: SMT5
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: UMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased + Diode
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: UMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 33 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 1kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: UMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 82 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор эмиттер-база (R2): 100kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: UMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-85
- Тип корпуса: UMT3F
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: EMT3
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-89, SOT-490
- Тип корпуса: EMT3F (SOT-416FL)
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 20mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: UMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 33 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100