-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Тип транзистора
|
Тип корпуса
|
Резистор базы (R1)
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Резистор эмиттер-база (R2)
|
Package / Case
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DTC115EET1 | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | Rochester Electronics, LLC | 100mA | 50V | 200mW | Surface Mount | NPN - Pre-Biased | SC-75, SOT-416 | 100kOhms | 250mV @ 300µA, 10mA | 500nA | 80 @ 5mA, 10V | 100kOhms | SC-75, SOT-416 |
| DTC114YET1 | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | Rochester Electronics, LLC | 100mA | 50V | 200mW | Surface Mount | NPN - Pre-Biased | SC-75, SOT-416 | 10kOhms | 250mV @ 300µA, 10mA | 500nA | 80 @ 5mA, 10V | 47kOhms | SC-75, SOT-416 |
- 10
- 15
- 50
- 100