Найдено: 18
  • TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-563, SOT-666
    • Тип корпуса: SSMINI6-F1
    • Мощность - Макс.: 125mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 150MHz, 80MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-563, SOT-666
    • Тип корпуса: SSMINI6-F1
    • Мощность - Макс.: 125mW
    • Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 150MHz
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-563, SOT-666
    • Тип корпуса: SSMINI6-F1
    • Мощность - Макс.: 125mW
    • Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 150MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: