Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения onsemi в корпусе SC-88/SC70-6/SOT-363

Найдено: 132
  • TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 35 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363
    • Мощность - Макс.: 230mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 1mA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms, 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms, 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN/PNP COMBO SC88-6
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 15 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363
    • Мощность - Макс.: 187mW
    • Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 3 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 1kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 1kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • COMPLEMENTARY DIGITAL TRA
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363
    • Мощность - Макс.: 187mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 100kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 100kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: