Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения onsemi IC(MAX) 100mA, 500mA

    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Package / Case
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
  • EMF5XV6T5G
    TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT563
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-563, SOT-666
    • Тип корпуса: SOT-563
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 12V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • EMF5XV6T5
    TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT56
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-563, SOT-666
    • Тип корпуса: SOT-563
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 12V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100