Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NXP USA Inc. в корпусе SOT-666

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 23

PBLS1502V,115

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-666
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 15V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA, 100nA
- Граничная частота: 280MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PEMB1,115

NOW NEXPERIA PEMB1 - SMALL SIGNA

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-666
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 22kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PEMH2,115

NOW NEXPERIA PEMH2 - SMALL SIGNA

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-666
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PBLS1503V,115-NXP

0.1A 50V 2-ELEMENT NPN AND PNP

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-666
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 15V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V / 200 @ 10mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA, 100nA
- Граничная частота: 280MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PBLS4004V,115

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-666
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 40V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Граничная частота: 300MHz
- Резистор базы (R1): 22kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PBLS4003V,115

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-666
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 40V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Граничная частота: 300MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PEMB4,115

NOW NEXPERIA PEMB4 - SMALL SIGNA

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-666
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PEMH10115

NOW NEXPERIA PEMH10 - SMALL SIGN

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-666
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 230MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PBLS4002V,115

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-666
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 40V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Граничная частота: 300MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PBLS1504V,115

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-666
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 15V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA, 100nA
- Граничная частота: 280MHz
- Резистор базы (R1): 22kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PEMB10115

PNP/PNP RESISTOR-EQUIPPED TRANSI

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-666
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PEMD10,115

NOW NEXPERIA PEMD10 - SMALL SIGN

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-666
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PEMD15,115

NOW NEXPERIA PEMD15 - SMALL SIGN

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-666
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PBLS4005V,115

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-666
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 40V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Граничная частота: 300MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PEMD3,315

NOW NEXPERIA PEMD3 - SMALL SIGNA

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-666
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: