Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NXP USA Inc. в корпусе 6-TSOP
-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-74, SOT-457
- Тип корпуса: 6-TSOP
- Мощность - Макс.: 600mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 700mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 40V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA, 100nA
- Граничная частота: 150MHz
- Резистор базы (R1): 22kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-74, SOT-457
- Тип корпуса: 6-TSOP
- Мощность - Макс.: 600mW
- Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100