Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NXP USA Inc. | Транзисторы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 250

PBLS1502Y,115

NOW NEXPERIA PBLS1502Y - SMALL S

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: SOT-363
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 15V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA, 100nA
- Граничная частота: 280MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PDTC144TS,126

TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PDTA123TE,115

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: SC-75
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 20mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PDTC144VS,126

TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PDTA123TMB,315

NOW NEXPERIA PDTA123TMB - SMALL

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: DFN1006B-3
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 20mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Граничная частота: 180MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PDTA144ES,126

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PDTC123EEF,115

TRANS PREBIAS NPN 250MW SC89

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-89, SOT-490
- Тип корпуса: SC-89
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 20mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PDTB123ES,126

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PDTA143TK,115

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3; MPAK
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PDTC114YE,135

TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: SC-75
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PDTA114TE,115

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: SC-75
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PDTA143ZK,135

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3; MPAK
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PDTA144WK,115

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3; MPAK
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PDTC143XS,126

TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PBLS4002V,115

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-666
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 40V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Граничная частота: 300MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: