- Производитель
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Тип транзистора
- Тип корпуса
-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: SC-75
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-666
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3; MPAK
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 100kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 100kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3; MPAK
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 20mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-666
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 15V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V / 200 @ 10mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA, 100nA
- Граничная частота: 280MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3; MPAK
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3; MPAK
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: SC-75
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-89, SOT-490
- Тип корпуса: SC-89
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 100kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 100kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 100kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 100kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: SC-75
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: SOT-363
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Граничная частота: 230MHz, 180MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 100kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 100kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100