- Производитель
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Тип транзистора
- Тип корпуса
-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Тип транзистора
|
Тип корпуса
|
Резистор базы (R1)
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Граничная частота
|
Резистор эмиттер-база (R2)
|
Package / Case
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PDTA123EU,115 | NOW NEXPERIA PDTA123EU - SMALL S | NXP Semiconductors | 100mA | 50V | 200mW | Surface Mount | PNP - Pre-Biased | SOT-323 | 2.2kOhms | 150mV @ 500µA, 10mA | 1µA | 30 @ 20mA, 5V | 2.2kOhms | SC-70, SOT-323 | |
| PDTC144WM,315 | PDTC144W - UPN RESISTOR-EQUIPPED | NXP Semiconductors | 100mA | 50V | 250mW | Surface Mount | NPN - Pre-Biased | DFN1006-3 | 47kOhms | 150mV @ 500µA, 10mA | 1µA | 60 @ 5mA, 5V | 22kOhms | SC-101, SOT-883 | |
| PDTD113ZT,215 | NEXPERIA PDTD113 - NPN 500 MA, | NXP Semiconductors |
- 10
- 15
- 50
- 100