Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Micro Commercial Co в корпусе TO-92S

• Производитель: Micro Commercial Co
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92S
• Мощность - Макс.: 300mW
• Тип транзистора: PNP - Pre-Biased + Diode
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 68 @ 5mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Граничная частота: 250MHz
• Резистор базы (R1): 47kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms

• Производитель: Micro Commercial Co
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92S
• Мощность - Макс.: 300mW
• Тип транзистора: PNP - Pre-Biased + Diode
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Граничная частота: 250MHz
• Резистор базы (R1): 10kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms

• Производитель: Micro Commercial Co
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92S
• Мощность - Макс.: 300mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
• Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
• Граничная частота: 250MHz
• Резистор базы (R1): 47kOhms

• Производитель: Micro Commercial Co
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92S
• Мощность - Макс.: 300mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased + Diode
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 10mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Граничная частота: 250MHz
• Резистор базы (R1): 4.7kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms

• Производитель: Micro Commercial Co
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
• Тип корпуса: TO-92S
• Мощность - Макс.: 300mW
• Тип транзистора: PNP - Pre-Biased + Diode
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Граничная частота: 250MHz
• Резистор базы (R1): 10kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms

• Производитель: Micro Commercial Co
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
• Тип корпуса: TO-92S
• Мощность - Макс.: 300mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
• Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
• Граничная частота: 250MHz
• Резистор базы (R1): 47kOhms

• Производитель: Micro Commercial Co
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
• Тип корпуса: TO-92S
• Мощность - Макс.: 300mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased + Diode
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Граничная частота: 250MHz
• Резистор базы (R1): 10kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms

• Производитель: Micro Commercial Co
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
• Тип корпуса: TO-92S
• Мощность - Макс.: 300mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased + Diode
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 56 @ 5mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Граничная частота: 250MHz
• Резистор базы (R1): 22kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms

• Производитель: Micro Commercial Co
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92S
• Мощность - Макс.: 300mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased + Diode
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 56 @ 5mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Граничная частота: 250MHz
• Резистор базы (R1): 22kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms

• Производитель: Micro Commercial Co
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92S
• Мощность - Макс.: 300mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased + Diode
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Граничная частота: 250MHz
• Резистор базы (R1): 10kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms

• Производитель: Micro Commercial Co
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
• Тип корпуса: TO-92S
• Мощность - Макс.: 300mW
• Тип транзистора: PNP - Pre-Biased + Diode
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 68 @ 5mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Граничная частота: 250MHz
• Резистор базы (R1): 47kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms

• Производитель: Micro Commercial Co
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
• Тип корпуса: TO-92S
• Мощность - Макс.: 300mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased + Diode
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 10mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Граничная частота: 250MHz
• Резистор базы (R1): 4.7kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms