Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Diotec Semiconductor в корпусе SOT-363

Найдено: 3
  • DIGITAL TR,SOT-363,60V,100MA
    Diotec Semiconductor
    • Производитель: Diotec Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SOT-363
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 170MHz
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIGITAL TR,SOT-363,50V,100MA
    Diotec Semiconductor
    • Производитель: Diotec Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SOT-363
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 170MHz
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DI Trst. 60V, 100mA
    Diotec Semiconductor
    • Производитель: Diotec Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SOT-363
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 170MHz
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: