Найдено: 7
  • DIGITAL TR SOT-323 50V 100MA
    Diotec Semiconductor
    • Производитель: Diotec Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SOT-323
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Усиление по току (hFE): 35 @ 10mA, 5V
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIGITAL TR SOT-323 50V 100MA
    Diotec Semiconductor
    • Производитель: Diotec Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SOT-323
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Усиление по току (hFE): 35 @ 10mA, 5V
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIGITAL TR SOT-323 50V 100MA
    Diotec Semiconductor
    • Производитель: Diotec Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SOT-323
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 10mA, 5V
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIGITAL TR SOT-323 50V 100MA
    Diotec Semiconductor
    • Производитель: Diotec Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SOT-323
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIGITAL TR SOT-323 50V 100MA
    Diotec Semiconductor
    • Производитель: Diotec Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SOT-323
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DI Trst. 50V, 100mA
    Diotec Semiconductor
    • Производитель: Diotec Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SOT-323
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIGITAL TR SOT-323 50V 100MA
    Diotec Semiconductor
    • Производитель: Diotec Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SOT-323
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 10mA, 5V
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: