Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения IC(MAX) 500mA | Транзисторы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 307

DDTB114EC-7-F

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

Diodes Incorporated
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 56 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PDTB113EUX

TRANS PREBIAS PNP 0.425W

Nexperia USA Inc.
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 33 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 140MHz
- Резистор базы (R1): 1kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 1kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PDTD113ZT,215

TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB

Nexperia USA Inc.
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: TO-236AB
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 1kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DTD133HKT146

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 56 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 3.3kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PDTB123ET,215

TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB

Nexperia USA Inc.
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: TO-236AB
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DDTD142TU-7-F

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

Diodes Incorporated
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 470Ohms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DTD122JKT146

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 47 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 220Ohms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
UNR412400A

TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1

Panasonic Electronic Components
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: 3-SSIP
- Тип корпуса: NS-A1
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 100mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PDTB123ES,126

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DTD523YMT2L

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: VMT3
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 140 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 260MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DTD113EKFRAT146

DTD113EKFRA IS A TRANSISTOR WITH

Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 33 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 1kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 1kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PDTB113ZUX

TRANS PREBIAS PNP 0.425W

Nexperia USA Inc.
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 140MHz
- Резистор базы (R1): 1kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DTD123TKT146

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PDTD113ZUX

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

Nexperia USA Inc.
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 225MHz
- Резистор базы (R1): 1kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DDTD143EU-7-F

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

Diodes Incorporated
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 47 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: