- Ток коллектора (макс)
- Производитель
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Тип транзистора
- Тип корпуса
-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223 (TO-261)
- Мощность - Макс.: 3W
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 125 @ 800mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 210mV @ 20mA, 800mA
- Граничная частота: 110MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223 (TO-261)
- Мощность - Макс.: 720mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 125 @ 800mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
- Граничная частота: 110MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223 (TO-261)
- Мощность - Макс.: 720mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 125 @ 800mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
- Граничная частота: 110MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223
- Мощность - Макс.: 3W
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 125 @ 800mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 210mV @ 20mA, 800mA
- Граничная частота: 110MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100