Найдено: 52
Наименование Описание Производитель
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Тип корпуса
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Резистор эмиттер-база (R2)
Package / Case
EMB51T2R TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Rohm Semiconductor 30mA 50V 150mW Surface Mount 2 PNP - Pre-Biased (Dual) EMT6 22kOhms 150mV @ 500µA, 5mA 500nA 60 @ 5mA, 10V 250MHz 22kOhms SOT-563, SOT-666
DTC044EUBTL TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F Rohm Semiconductor 30mA 50V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased UMT3F 47kOhms 150mV @ 500µA, 5mA 80 @ 5mA, 10V 250MHz 47kOhms SC-85
DTC024EMT2L TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Rohm Semiconductor 30mA 50V 150mW Surface Mount NPN - Pre-Biased VMT3 22kOhms 150mV @ 500µA, 5mA 60 @ 5mA, 10V 250MHz 22kOhms SOT-723
DTC124EKAT146 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 Rohm Semiconductor 30mA 50V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SMT3 22kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 500nA 56 @ 5mA, 5V 250MHz 22kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DTA144ESATP TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT Rohm Semiconductor 30mA 50V 300mW Through Hole PNP - Pre-Biased SPT 47kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 500nA 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47kOhms SC-72 Formed Leads
EMB6T2R TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Rohm Semiconductor 30mA 50V 150mW Surface Mount 2 PNP - Pre-Biased (Dual) EMT6 47kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 500nA 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47kOhms SOT-563, SOT-666
DTA024EUBTL TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F Rohm Semiconductor 30mA 50V 200mW Surface Mount PNP - Pre-Biased UMT3F 22kOhms 150mV @ 500µA, 5mA 60 @ 5mA, 10V 250MHz 22kOhms SC-85