- Ток коллектора (макс)
- Производитель
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Тип транзистора
- Тип корпуса
-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: VMT3
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 56 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 22kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: EMT3
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 56 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diotec Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-523
- Тип корпуса: SOT-523
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 56 @ 5mA, 5V
- Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 22kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: EMT3
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 56 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 22kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-89, SOT-490
- Тип корпуса: EMT3F (SOT-416FL)
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 22kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: EMT3
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 56 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500nA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 22kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: VMT3
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 68 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: VMT3
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: UMT6
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 68 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: UMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 68 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: UMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 56 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 56 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-85
- Тип корпуса: UMT3F
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 56 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 22kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 33 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 68 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100