Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения IC(MAX) 200mA | Транзисторы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 23

DTB743EMT2L

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: VMT3
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 115 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 260MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DTD713ZETL

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: EMT3
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 140 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 260MHz
- Резистор базы (R1): 1kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
NUS2401SNT1

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

Rochester Electronics, LLC
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-74, SOT-457
- Тип корпуса: SC-74
- Мощность - Макс.: 350mW
- Тип транзистора: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA / 250mV @ 300µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 175Ohms, 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DTB743ZMT2L

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: VMT3
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 140 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 260MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DTD743EMT2L

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: VMT3
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 115 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 260MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
NUS2401SNT1G

TRANS PREBIAS 2NPN 1PNP 50V SC74

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-74, SOT-457
- Тип корпуса: SC-74
- Мощность - Макс.: 350mW
- Тип транзистора: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA / 250mV @ 300µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 175Ohms, 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 175Ohms, 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DTD713ZMT2L

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: VMT3
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 140 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 260MHz
- Резистор базы (R1): 1kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DTD743EETL

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: EMT3
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 115 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 260MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DTB743EETL

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: EMT3
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 115 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 260MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DTB723YMT2L

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: VMT3
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 140 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 260MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
NUS2401SNT1

TRANS 2NPN/1PNP PREBIAS SC74

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-74, SOT-457
- Тип корпуса: SC-74
- Мощность - Макс.: 350mW
- Тип транзистора: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA / 250mV @ 300µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 175Ohms, 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DTB743XMT2L

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: VMT3
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 140 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 260MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DTB713ZMT2L

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: VMT3
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 140 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 260MHz
- Резистор базы (R1): 1kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DTD743ZMT2L

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: VMT3
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 140 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 260MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DTD743XETL

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: EMT3
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 140 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 260MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по:

	Значение	Кол‑во
	EMT3 ⇒	10
	SC-74 ⇒	3
	VMT3 ⇒	10

Тип корпуса (3)