- Ток коллектора (макс)
- Производитель
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Тип транзистора
- Тип корпуса
-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: EMT6
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 12V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz, 320MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-74, SOT-457
- Тип корпуса: SC-74R
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz, 200MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms, 100Ohms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-666
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 15V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA, 100nA
- Граничная частота: 280MHz
- Резистор базы (R1): 22kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SSMini6-F3-B
- Мощность - Макс.: 125mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 12V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 300MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: UMT6
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 12V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 20mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz, 260MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: UMT6
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 12V
- Усиление по току (hFE): 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz, 260MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: EMT6
- Мощность - Макс.: 120mW
- Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 12V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz, 260MHz
- Резистор базы (R1): 1kOhms, 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-666
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 40V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Граничная частота: 300MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: 6-TSSOP
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 15V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA, 100nA
- Граничная частота: 280MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: EMT6
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 12V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz, 260MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: 6-TSSOP
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 40V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Граничная частота: 300MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: SOT-363
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz, 200MHz
- Резистор базы (R1): 100Ohms, 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: MINI6-G1
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V / 50 @ 100mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 500nA, 1µA
- Граничная частота: 150MHz, 200MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: EMT6
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 12V
- Усиление по току (hFE): 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz, 320MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Philips
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-666
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 15V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA, 100nA
- Граничная частота: 280MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100