Найдено: 5
Наименование Описание Производитель
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Тип корпуса
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Резистор эмиттер-база (R2)
Package / Case
EMF24T2R TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6 Rohm Semiconductor 100mA, 150mA 50V 150mW Surface Mount 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN EMT6 10kOhms 300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA 500nA 30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V 250MHz, 180MHz 10kOhms SOT-563, SOT-666
EMF17T2R TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6 Rohm Semiconductor 100mA, 150mA 50V 150mW Surface Mount 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP EMT6 2.2kOhms 300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA 500nA 20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V 250MHz, 140MHz 2.2kOhms SOT-563, SOT-666
UMF23NTR TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6 Rohm Semiconductor 100mA, 150mA 50V 150mW Surface Mount 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP UMT6 10kOhms 300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA 500nA 30 @ 5mA, 5V 250MHz, 140MHz 10kOhms 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMF24NTR TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6 Rohm Semiconductor 100mA, 150mA 50V 150mW Surface Mount 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN UMT6 10kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 500nA 30 @ 5mA, 5V 250MHz 10kOhms 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMF28NTR TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6 Rohm Semiconductor 100mA, 150mA 50V 150mW Surface Mount 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP UMT6 22kOhms 300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA 500nA 68 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V 250MHz, 140MHz 47kOhms 6-TSSOP, SC-88, SOT-363