Полупроводники, Тиристоры, Кремниевые управляемые выпрямитекли (SCR) IT(RMS): 1180A

Найдено: 23
  • SCR 800V 1180A TO200AB
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: TO-200AB, E-PUK
    • Тип корпуса: TO-200AB (E-Puk)
    • Напряжение в закрытом состоянии: 800V
    • Current - On State (It (AV)) (Max): 620A
    • Ток в открытом сост. (Макс): 1180A
    • Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
    • Отпирающий ток: 200mA
    • Ударный ток: 6690A, 7000A
    • Ток удержания: 600mA
    • Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.16V
    • Current - Off State (Max): 50mA
    • SCR Type: Standard Recovery
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SCR 800V 1180A TO200AB
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: TO-200AB, E-PUK
    • Тип корпуса: TO-200AB (E-Puk)
    • Напряжение в закрытом состоянии: 800V
    • Current - On State (It (AV)) (Max): 620A
    • Ток в открытом сост. (Макс): 1180A
    • Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
    • Отпирающий ток: 200mA
    • Ударный ток: 6690A, 7000A
    • Ток удержания: 600mA
    • Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.16V
    • Current - Off State (Max): 50mA
    • SCR Type: Standard Recovery
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SCR 1.2KV 1180A TO200AB
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: TO-200AB, E-PUK
    • Тип корпуса: TO-200AB (E-Puk)
    • Напряжение в закрытом состоянии: 1.2kV
    • Current - On State (It (AV)) (Max): 620A
    • Ток в открытом сост. (Макс): 1180A
    • Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
    • Отпирающий ток: 200mA
    • Ударный ток: 7950A, 8320A
    • Ток удержания: 600mA
    • Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.16V
    • Current - Off State (Max): 50mA
    • SCR Type: Standard Recovery
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SCR 1.2KV 1180A TO200AB
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: TO-200AB, E-PUK
    • Тип корпуса: TO-200AB (E-Puk)
    • Напряжение в закрытом состоянии: 1.2kV
    • Current - On State (It (AV)) (Max): 620A
    • Ток в открытом сост. (Макс): 1180A
    • Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
    • Отпирающий ток: 200mA
    • Ударный ток: 7950A, 8320A
    • Ток удержания: 600mA
    • Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.16V
    • Current - Off State (Max): 50mA
    • SCR Type: Standard Recovery
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SCR 1.2KV 1180A TO200AB
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: TO-200AB, E-PUK
    • Тип корпуса: TO-200AB (E-Puk)
    • Напряжение в закрытом состоянии: 1.2kV
    • Current - On State (It (AV)) (Max): 620A
    • Ток в открытом сост. (Макс): 1180A
    • Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
    • Отпирающий ток: 200mA
    • Ударный ток: 6690A, 7000A
    • Ток удержания: 600mA
    • Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.16V
    • Current - Off State (Max): 50mA
    • SCR Type: Standard Recovery
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SCR 800V 1180A TO200AB
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: TO-200AB, E-PUK
    • Тип корпуса: TO-200AB (E-Puk)
    • Напряжение в закрытом состоянии: 800V
    • Current - On State (It (AV)) (Max): 620A
    • Ток в открытом сост. (Макс): 1180A
    • Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
    • Отпирающий ток: 200mA
    • Ударный ток: 6690A, 7000A
    • Ток удержания: 600mA
    • Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.16V
    • Current - Off State (Max): 50mA
    • SCR Type: Standard Recovery
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SCR 1.2KV 1180A TO200AB
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: TO-200AB, E-PUK
    • Тип корпуса: TO-200AB (E-Puk)
    • Напряжение в закрытом состоянии: 1.2kV
    • Current - On State (It (AV)) (Max): 620A
    • Ток в открытом сост. (Макс): 1180A
    • Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
    • Отпирающий ток: 200mA
    • Ударный ток: 6690A, 7000A
    • Ток удержания: 600mA
    • Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.16V
    • Current - Off State (Max): 50mA
    • SCR Type: Standard Recovery
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SCR 1.2KV 1180A TO200AB
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: TO-200AB, E-PUK
    • Тип корпуса: TO-200AB (E-Puk)
    • Напряжение в закрытом состоянии: 1.2kV
    • Current - On State (It (AV)) (Max): 620A
    • Ток в открытом сост. (Макс): 1180A
    • Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
    • Отпирающий ток: 200mA
    • Ударный ток: 6690A, 7000A
    • Ток удержания: 600mA
    • Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.16V
    • Current - Off State (Max): 50mA
    • SCR Type: Standard Recovery
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SCR 400V 1180A TO200AB
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: TO-200AB, E-PUK
    • Тип корпуса: TO-200AB (E-Puk)
    • Напряжение в закрытом состоянии: 400V
    • Current - On State (It (AV)) (Max): 620A
    • Ток в открытом сост. (Макс): 1180A
    • Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
    • Отпирающий ток: 200mA
    • Ударный ток: 6690A, 7000A
    • Ток удержания: 600mA
    • Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.16V
    • Current - Off State (Max): 50mA
    • SCR Type: Standard Recovery
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SCR 1KV 1180A TO200AB
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: TO-200AB, E-PUK
    • Тип корпуса: TO-200AB (E-Puk)
    • Напряжение в закрытом состоянии: 1kV
    • Current - On State (It (AV)) (Max): 620A
    • Ток в открытом сост. (Макс): 1180A
    • Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
    • Отпирающий ток: 200mA
    • Ударный ток: 7950A, 8320A
    • Ток удержания: 600mA
    • Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.16V
    • Current - Off State (Max): 50mA
    • SCR Type: Standard Recovery
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SCR 400V 1180A TO200AB
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: TO-200AB, E-PUK
    • Тип корпуса: TO-200AB (E-Puk)
    • Напряжение в закрытом состоянии: 400V
    • Current - On State (It (AV)) (Max): 620A
    • Ток в открытом сост. (Макс): 1180A
    • Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
    • Отпирающий ток: 200mA
    • Ударный ток: 7950A, 8320A
    • Ток удержания: 600mA
    • Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.16V
    • Current - Off State (Max): 50mA
    • SCR Type: Standard Recovery
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SCR 800V 1180A TO200AB
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: TO-200AB, E-PUK
    • Тип корпуса: TO-200AB (E-Puk)
    • Напряжение в закрытом состоянии: 800V
    • Current - On State (It (AV)) (Max): 620A
    • Ток в открытом сост. (Макс): 1180A
    • Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
    • Отпирающий ток: 200mA
    • Ударный ток: 6690A, 7000A
    • Ток удержания: 600mA
    • Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.16V
    • Current - Off State (Max): 50mA
    • SCR Type: Standard Recovery
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SCR 1.2KV 1180A TO200AB
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: TO-200AB, E-PUK
    • Тип корпуса: TO-200AB (E-Puk)
    • Напряжение в закрытом состоянии: 1.2kV
    • Current - On State (It (AV)) (Max): 620A
    • Ток в открытом сост. (Макс): 1180A
    • Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
    • Отпирающий ток: 200mA
    • Ударный ток: 6690A, 7000A
    • Ток удержания: 600mA
    • Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.16V
    • Current - Off State (Max): 50mA
    • SCR Type: Standard Recovery
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SCR 400V 1180A TO200AB
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: TO-200AB, E-PUK
    • Тип корпуса: TO-200AB (E-Puk)
    • Напряжение в закрытом состоянии: 400V
    • Current - On State (It (AV)) (Max): 620A
    • Ток в открытом сост. (Макс): 1180A
    • Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
    • Отпирающий ток: 200mA
    • Ударный ток: 6690A, 7000A
    • Ток удержания: 600mA
    • Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.16V
    • Current - Off State (Max): 50mA
    • SCR Type: Standard Recovery
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SCR 1.2KV 1180A TO200AB
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: TO-200AB, E-PUK
    • Тип корпуса: TO-200AB (E-Puk)
    • Напряжение в закрытом состоянии: 1.2kV
    • Current - On State (It (AV)) (Max): 620A
    • Ток в открытом сост. (Макс): 1180A
    • Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
    • Отпирающий ток: 200mA
    • Ударный ток: 6690A, 7000A
    • Ток удержания: 600mA
    • Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.16V
    • Current - Off State (Max): 50mA
    • SCR Type: Standard Recovery
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: