- Производитель
- Напряжение в закрытом состоянии
- Ток в открытом сост. (Макс)
- Структура
-
- Current - On State (It (AV)) (Max)
- Напряжение открытия (Vgt) (макс)
- Отпирающий ток
- Ударный ток
- Ток удержания
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Вид монтажа
|
Напряжение в закрытом состоянии
|
Ток в открытом сост. (Макс)
|
Рабочая температура
|
Структура
|
Number of SCRs, Diodes
|
Current - On State (It (AV)) (Max)
|
Напряжение открытия (Vgt) (макс)
|
Отпирающий ток
|
Ударный ток
|
Ток удержания
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TT330N12KOFHPSA2 | THYR / DIODE MODULE DK | Infineon Technologies | Module | Chassis Mount | 1.6kV | 520A | -40°C ~ 130°C | Series Connection - All SCRs | 2 SCRs | 330A | 2V | 200mA | 12500A @ 50Hz | 300mA | |
| DT61N16KOFHPSA1 | SCR MODULE 1.6KV 120A MODULE | Infineon Technologies | Module | Chassis Mount | 1.6kV | 120A | -40°C ~ 125°C | Series Connection - All SCRs | 2 SCRs | 76A | 1.4V | 120mA | 1550A @ 50Hz | 200mA | |
| ETD630N16P60TIMHPSA1 | THYR / DIODE MODULE DK | Infineon Technologies | Module | Chassis Mount | 1.6kV | 700A | 135°C (TJ) | Series Connection - SCR/Diode | 1 SCR, 1 Diode | 635A | 2V | 250mA | 19800A @ 50Hz | 300mA | |
| MCC500-16IO1 | THYRISTOR DIODE MOD 1600V M##500 | IXYS | WC-500 | Chassis Mount | 1.6kV | 1294A | -40°C ~ 125°C (TJ) | Series Connection - All SCRs | 2 SCRs | 545A | 3V | 300mA | 16500A @ 50Hz | 1A | |
| MCD500-12IO1 | MOD THYRISTOR DUAL 1200V WC-500 | IXYS | WC-500 | Chassis Mount | 1.2kV | 1294A | -40°C ~ 125°C (TJ) | Series Connection - SCR/Diode | 1 SCR, 1 Diode | 545A | 3V | 300mA | 16500A @ 50Hz | 1A | |
| MCMA110P1200TA | SCR MODULE 1.2KV 110A TO240AA | IXYS | TO-240AA | Chassis Mount | 1.2kV | 170A | -40°C ~ 140°C (TJ) | Series Connection - All SCRs | 2 SCRs | 110A | 1.5V | 150mA | 1900A, 2050A | 200mA | |
| MSFC130-12 | MOD THYRISTOR DIODE DBLR 130A D1 | Microsemi Corporation | Module | Chassis Mount | 1.2kV | -40°C ~ 125°C (TJ) | Series Connection - SCR/Diode | 1 SCR, 1 Diode | 130A | 3V | 150mA | 4700A @ 50Hz | 400mA | ||
| T620022004DN | SCR PHASE CTRL MOD 200V 200A | Powerex Inc. | TO-200AB, A-PUK | Chassis Mount, 8" Wire Lead | 200V | 315A | -40°C ~ 125°C (TJ) | Single | 1 SCR | 200A | 3V | 150mA | 3650A, 4000A | ||
| TA20201603DH | SCR PHASE CTRL 2000V 1600A | Powerex Inc. | TO-200AE Variation | Chassis Mount | 2kV | 2500A | -40°C ~ 125°C (TJ) | Single | 1 SCR | 1600A | 4.5V | 200mA | 26900A, 29500A | ||
| CM521213 | SCR MOD PWR-BLOK 1200V 130A | Powerex Inc. | POW-R-BLOK™ Module | Chassis Mount | 1.2kV | 205A | -40°C ~ 125°C (TJ) | Series Connection - SCR/Diode | 1 SCR, 1 Diode | 130A | 3V | 100mA | 2365A, 2600A | ||
| F1857DH1400 | MODULE SCR/DIODE 55A 530VAC | Sensata-Crydom | Module | Chassis Mount | 1.4kV | -40°C ~ 125°C (TJ) | Series Connection - SCR/Diode | 1 SCR, 1 Diode | 3V | 150mA | 1500A @ 60Hz | F18 | |||
| B511FSE-2T | MOD DIODE SCR 25A 120VAC .250"QC | Sensata-Crydom | Module | Chassis Mount | 400V | -40°C ~ 125°C (TJ) | Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1) | 2 SCRs, 2 Diodes | 2.5V | 60mA | 250A @ 60Hz | B-2T | |||
| VS-VSKT162/16PBF | MODULE THYRISTOR 160A INT-A-PAK | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | INT-A-Pak | Chassis Mount | 1.6kV | 355A | -40°C ~ 125°C (TJ) | Series Connection - All SCRs | 2 SCRs | 160A | 2.5V | 150mA | 4870A, 5100A | 200mA | |
| VS-VSKLF200-12HJP | MOD DIODE 1200V MAGN-A-PAK | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | MAGN-A-PAK (2) | Chassis Mount | 1.2kV | 444A | -40°C ~ 125°C (TJ) | Series Connection - SCR/Diode | 1 SCR, 1 Diode | 200A | 3V | 200mA | 7600A, 8000A | 600mA | |
| VSKT250-08 | SCR DBL HISCR 800V 230A MAGNAPAK | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 3-MAGN-A-PAK™ | Chassis Mount | 800V | 555A | Series Connection - All SCRs | 2 SCRs | 250A | 3V | 200mA | 8500A, 8900A | 500mA |
- 10
- 15
- 50
- 100
SRC модули — это интегральные сборки, состоящие из силовых тиристоров и диодов, собранных в одном корпусе.
Благодаря изолирующей опорной плате механические конструкции значительно упрощены, обеспечивают компактный размер, создают оптимальные условия для энергосбережения и уменьшения потерь.
Применяются в источниках питания, схемах управления, в зарядных устройствах и аккумуляторах.
Справочная информация по основным параметрам:
Current - Hold (Ih) (Max) (Ток удержания) —
Диак будет оставаться в проводящем состоянии до тех пор, пока ток, проходящий через него, не упадет ниже определенного значения, известного как ток удержания. Когда ток падает ниже тока удержания, диак снова переключается в свое высокоомное или непроводящее состояние.
Current - Gate Trigger (Igt) (Max) (Отпирающий ток) —
Постоянный ток, протекающий через управляющий контакт, достаточный для отприрания компонента.
Mounting Type (Вид монтажа) —
Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) (Напряжение открытия (Vgt) (макс)) —
Постоянное напряжение, приложенное к управляющему выводу и приводящее к переходу компнента в открытое состояние.
Operating Temperature (Рабочая температура) —
Рабочий диапазон температур компонента.
Current - On State (It (RMS)) (Max) (Ток в открытом сост. (Макс)) —
Максимально допустимое среднекрадратичное значение тока (RMS - root mean square) в открытом состоянии при нормальной рабочей температуре. Для синусоидального тока совпадает со средним (действующим) значением.
Voltage - Off State (Напряжение в закрытом состоянии) —
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) (Ударный ток) —
Наибольший неповтояющийся импульсный ток в открытом состоянии тиристора, протекание которого не приводит к потере функциональности. Действие ударного тока может вызвать превышение предельных параметров эксплуатации, например температуры pn-перехода, но предполагатся редким в течение срока службы компонента.