- Производитель
- Напряжение в закрытом состоянии
- Ток в открытом сост. (Макс)
- Структура
-
- Current - On State (It (AV)) (Max)
- Напряжение открытия (Vgt) (макс)
- Отпирающий ток
- Ударный ток
- Ток удержания
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Вид монтажа
|
Напряжение в закрытом состоянии
|
Ток в открытом сост. (Макс)
|
Рабочая температура
|
Структура
|
Number of SCRs, Diodes
|
Current - On State (It (AV)) (Max)
|
Напряжение открытия (Vgt) (макс)
|
Отпирающий ток
|
Ударный ток
|
Ток удержания
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DT250N16KOFHPSA1 | SCR MODULE 1.6KV MODULE | Infineon Technologies | Module | Chassis Mount | 1.6kV | -40°C ~ 125°C | Series Connection - All SCRs | 2 SCRs | 250A | 2V | 200mA | 8000A @ 50Hz | 300mA | ||
T2810N18TOFVTXPSA1 | SCR MODULE 2200V 5800A DO200AE | Infineon Technologies | DO-200AE | Chassis Mount | 2.2kV | 5800A | -40°C ~ 125°C | Single | 1 SCR | 2810A | 2.5V | 300mA | 58000A @ 50Hz | 300mA | |
T533N80TOHXPSA1 | SCR MODULE 864A DO200AC K-PUK | Infineon Technologies | TO-200AC | Chassis Mount | 864A | -40°C ~ 120°C | Single | 1 SCR | 790A | 10500A @ 50Hz | 100mA | ||||
T1590N24TOFVTXPSA1 | SCR MODULE 2800V 3200A DO200AD | Infineon Technologies | DO-200AD | Chassis Mount | 2.8kV | 3200A | -40°C ~ 125°C | Single | 1 SCR | 1590A | 3V | 300mA | 32000A @ 50Hz | 300mA | |
VHF28-12IO5 | RECT BRIDGE 1PH 1200V FO-F-A | IXYS | FO-F-A | Chassis Mount | 1.2kV | -40°C ~ 125°C (TJ) | Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1) | 2 SCRs, 2 Diodes | 28A | 1V | 65mA | 300A, 330A | 100mA | ||
MCA700-22IO1W | SCR THRYRISTOR CA 2200V WC-500 | IXYS | WC-500 | Chassis Mount | 2.2kV | 1331A | Common Anode - All SCRs | 2 SCRs | 700A | 18200 @ 50MHz | |||||
MCMA65PD1200TB | SCR MODULE 1.2KV 65A TO240AA | IXYS | TO-240AA | Chassis Mount | 1.2kV | 105A | -40°C ~ 140°C (TJ) | Series Connection - SCR/Diode | 1 SCR, 1 Diode | 65A | 1.5V | 95mA | 1150A, 1240A | 200mA | |
MSTC40-16 | MOD THYRISTOR DIODE 40A SF1 | Microsemi Corporation | Module | Chassis Mount | 1.6kV | -40°C ~ 125°C (TJ) | Series Connection - All SCRs | 2 SCRs | 40A | 2.5V | 150mA | 1000A @ 50Hz | 250mA | ||
M252542 | MODULE POWER 25A 600V AC SWITCH | Sensata-Crydom | Module | Chassis Mount | 600V | 1-Phase Controller - All SCRs | 2 SCRs | 2.5V | 50mA | 300A @ 60Hz | 75mA | ||||
VS-VSKT170-14PBF | MODULE DIODE SCR 170A MAGN-A-PAK | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | MAGN-A-PAK | Chassis Mount | 1.4kV | 377A | -40°C ~ 130°C (TJ) | Series Connection - All SCRs | 2 SCRs | 170A | 3V | 200mA | 5100A, 5350A | 500mA | |
VS-P403 | MODULE BRIDGE CC 40A 800V D-19 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 8-PACE-PAK | Chassis Mount | 800V | 40A | -40°C ~ 125°C (TJ) | Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1) | 2 SCRs, 2 Diodes | 2V | 60mA | 385A, 400A | 130mA | ||
IRKH105/06A | SCR DBL LOSCR 600V 105A ADDAPAK | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ADD-A-PAK (3 + 2) | Chassis Mount | 600V | 235A | -40°C ~ 130°C (TJ) | Series Connection - SCR/Diode | 1 SCR, 1 Diode | 105A | 2.5V | 150mA | 1785A, 1870A | 200mA | |
IRKT92/14A | SCR DBL 2SCR 1400V 90A ADD-A-PAK | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ADD-A-PAK (3 + 4) | Chassis Mount | 1.4kV | 210A | -40°C ~ 125°C (TJ) | Series Connection - All SCRs | 2 SCRs | 95A | 2.5V | 150mA | 1785A, 1870A | 250mA | |
VS-VSKT170-16PBF | MODULE DIODE SCR 170A MAGN-A-PAK | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | MAGN-A-PAK | Chassis Mount | 1.6kV | 377A | -40°C ~ 130°C (TJ) | Series Connection - All SCRs | 2 SCRs | 170A | 3V | 200mA | 5100A, 5350A | 500mA | |
VS-T70RIA120 | SCR PHASE CONT 1200V 70A D-55 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | D-55 T-Module | Chassis Mount | 1.2kV | 110A | -40°C ~ 125°C (TJ) | Single | 1 SCR | 70A | 2.5V | 120mA | 1660A, 1740A | 200mA |
- 10
- 15
- 50
- 100
SRC модули — это интегральные сборки, состоящие из силовых тиристоров и диодов, собранных в одном корпусе.
Благодаря изолирующей опорной плате механические конструкции значительно упрощены, обеспечивают компактный размер, создают оптимальные условия для энергосбережения и уменьшения потерь.
Применяются в источниках питания, схемах управления, в зарядных устройствах и аккумуляторах.
Справочная информация по основным параметрам:
Current - Hold (Ih) (Max) (Ток удержания) —
Диак будет оставаться в проводящем состоянии до тех пор, пока ток, проходящий через него, не упадет ниже определенного значения, известного как ток удержания. Когда ток падает ниже тока удержания, диак снова переключается в свое высокоомное или непроводящее состояние.
Current - Gate Trigger (Igt) (Max) (Отпирающий ток) —
Постоянный ток, протекающий через управляющий контакт, достаточный для отприрания компонента.
Mounting Type (Вид монтажа) —
Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) (Напряжение открытия (Vgt) (макс)) —
Постоянное напряжение, приложенное к управляющему выводу и приводящее к переходу компнента в открытое состояние.
Operating Temperature (Рабочая температура) —
Рабочий диапазон температур компонента.
Current - On State (It (RMS)) (Max) (Ток в открытом сост. (Макс)) —
Максимально допустимое среднекрадратичное значение тока (RMS - root mean square) в открытом состоянии при нормальной рабочей температуре. Для синусоидального тока совпадает со средним (действующим) значением.
Voltage - Off State (Напряжение в закрытом состоянии) —
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) (Ударный ток) —
Наибольший неповтояющийся импульсный ток в открытом состоянии тиристора, протекание которого не приводит к потере функциональности. Действие ударного тока может вызвать превышение предельных параметров эксплуатации, например температуры pn-перехода, но предполагатся редким в течение срока службы компонента.