• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2961
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Вид монтажа
Напряжение в закрытом состоянии
Ток в открытом сост. (Макс)
Рабочая температура
Структура
Number of SCRs, Diodes
Current - On State (It (AV)) (Max)
Напряжение открытия (Vgt) (макс)
Отпирающий ток
Ударный ток
Ток удержания
Серия
DT250N16KOFHPSA1 SCR MODULE 1.6KV MODULE Infineon Technologies Module Chassis Mount 1.6kV -40°C ~ 125°C Series Connection - All SCRs 2 SCRs 250A 2V 200mA 8000A @ 50Hz 300mA
T2810N18TOFVTXPSA1 SCR MODULE 2200V 5800A DO200AE Infineon Technologies DO-200AE Chassis Mount 2.2kV 5800A -40°C ~ 125°C Single 1 SCR 2810A 2.5V 300mA 58000A @ 50Hz 300mA
T533N80TOHXPSA1 SCR MODULE 864A DO200AC K-PUK Infineon Technologies TO-200AC Chassis Mount 864A -40°C ~ 120°C Single 1 SCR 790A 10500A @ 50Hz 100mA
T1590N24TOFVTXPSA1 SCR MODULE 2800V 3200A DO200AD Infineon Technologies DO-200AD Chassis Mount 2.8kV 3200A -40°C ~ 125°C Single 1 SCR 1590A 3V 300mA 32000A @ 50Hz 300mA
VHF28-12IO5 RECT BRIDGE 1PH 1200V FO-F-A IXYS FO-F-A Chassis Mount 1.2kV -40°C ~ 125°C (TJ) Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1) 2 SCRs, 2 Diodes 28A 1V 65mA 300A, 330A 100mA
MCA700-22IO1W SCR THRYRISTOR CA 2200V WC-500 IXYS WC-500 Chassis Mount 2.2kV 1331A Common Anode - All SCRs 2 SCRs 700A 18200 @ 50MHz
MCMA65PD1200TB SCR MODULE 1.2KV 65A TO240AA IXYS TO-240AA Chassis Mount 1.2kV 105A -40°C ~ 140°C (TJ) Series Connection - SCR/Diode 1 SCR, 1 Diode 65A 1.5V 95mA 1150A, 1240A 200mA
MSTC40-16 MOD THYRISTOR DIODE 40A SF1 Microsemi Corporation Module Chassis Mount 1.6kV -40°C ~ 125°C (TJ) Series Connection - All SCRs 2 SCRs 40A 2.5V 150mA 1000A @ 50Hz 250mA
M252542 MODULE POWER 25A 600V AC SWITCH Sensata-Crydom Module Chassis Mount 600V 1-Phase Controller - All SCRs 2 SCRs 2.5V 50mA 300A @ 60Hz 75mA
VS-VSKT170-14PBF MODULE DIODE SCR 170A MAGN-A-PAK Vishay General Semiconductor - Diodes Division MAGN-A-PAK Chassis Mount 1.4kV 377A -40°C ~ 130°C (TJ) Series Connection - All SCRs 2 SCRs 170A 3V 200mA 5100A, 5350A 500mA
VS-P403 MODULE BRIDGE CC 40A 800V D-19 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8-PACE-PAK Chassis Mount 800V 40A -40°C ~ 125°C (TJ) Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1) 2 SCRs, 2 Diodes 2V 60mA 385A, 400A 130mA
IRKH105/06A SCR DBL LOSCR 600V 105A ADDAPAK Vishay General Semiconductor - Diodes Division ADD-A-PAK (3 + 2) Chassis Mount 600V 235A -40°C ~ 130°C (TJ) Series Connection - SCR/Diode 1 SCR, 1 Diode 105A 2.5V 150mA 1785A, 1870A 200mA
IRKT92/14A SCR DBL 2SCR 1400V 90A ADD-A-PAK Vishay General Semiconductor - Diodes Division ADD-A-PAK (3 + 4) Chassis Mount 1.4kV 210A -40°C ~ 125°C (TJ) Series Connection - All SCRs 2 SCRs 95A 2.5V 150mA 1785A, 1870A 250mA
VS-VSKT170-16PBF MODULE DIODE SCR 170A MAGN-A-PAK Vishay General Semiconductor - Diodes Division MAGN-A-PAK Chassis Mount 1.6kV 377A -40°C ~ 130°C (TJ) Series Connection - All SCRs 2 SCRs 170A 3V 200mA 5100A, 5350A 500mA
VS-T70RIA120 SCR PHASE CONT 1200V 70A D-55 Vishay General Semiconductor - Diodes Division D-55 T-Module Chassis Mount 1.2kV 110A -40°C ~ 125°C (TJ) Single 1 SCR 70A 2.5V 120mA 1660A, 1740A 200mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

SRC модули — это интегральные сборки, состоящие из силовых тиристоров и диодов, собранных в одном корпусе.

Благодаря изолирующей опорной плате механические конструкции значительно упрощены, обеспечивают компактный размер, создают оптимальные условия для энергосбережения и уменьшения потерь.

Применяются в источниках питания, схемах управления, в зарядных устройствах и аккумуляторах.


Справочная информация по основным параметрам:

Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Voltage - Off State (Напряжение в закрытом состоянии) — Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии
Current - On State (It (RMS)) (Max) (Ток в открытом сост. (Макс)) — Максимально допустимое среднекрадратичное значение тока (RMS - root mean square) в открытом состоянии при нормальной рабочей температуре. Для синусоидального тока совпадает со средним (действующим) значением.
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) (Напряжение открытия (Vgt) (макс)) — Постоянное напряжение, приложенное к управляющему выводу и приводящее к переходу компнента в открытое состояние.
Current - Gate Trigger (Igt) (Max) (Отпирающий ток) — Постоянный ток, протекающий через управляющий контакт, достаточный для отприрания компонента.
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) (Ударный ток) — Наибольший неповтояющийся импульсный ток в открытом состоянии тиристора, протекание которого не приводит к потере функциональности. Действие ударного тока может вызвать превышение предельных параметров эксплуатации, например температуры pn-перехода, но предполагатся редким в течение срока службы компонента.
Current - Hold (Ih) (Max) (Ток удержания) — Диак будет оставаться в проводящем состоянии до тех пор, пока ток, проходящий через него, не упадет ниже определенного значения, известного как ток удержания. Когда ток падает ниже тока удержания, диак снова переключается в свое высокоомное или непроводящее состояние.