Полупроводники, Тиристоры, Модули SCR Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
-
- Current - On State (It (AV)) (Max)
- Напряжение открытия (Vgt) (макс)
- Отпирающий ток
- Ударный ток
- Ток удержания
- Серия
-
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: V2-PAK
- Структура: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
- Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.6kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 120A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 1.5V
- Отпирающий ток: 100mA
- Ударный ток: 750A @ 50MHz
- Ток удержания: 200mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: V2-PAK
- Структура: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
- Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.2kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 120A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 1.5V
- Отпирающий ток: 100mA
- Ударный ток: 750A @ 50MHz
- Ток удержания: 200mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Структура: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
- Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.6kV
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2V
- Отпирающий ток: 100mA
- Ударный ток: 1600A @ 50Hz
- Ток удержания: 220mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: E2
- Структура: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
- Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
- Напряжение в закрытом состоянии: 2.2kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 75A
- Ток в открытом сост. (Макс): 40A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 1.4V
- Отпирающий ток: 70mA
- Ударный ток: 500A, 540A
- Ток удержания: 100mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: E2
- Структура: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
- Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.6kV
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 1.5V
- Отпирающий ток: 95mA
- Ударный ток: 1100A, 1190A
- Ток удержания: 200mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
- Package / Case: Module
- Структура: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
- Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.6kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 125A
- Ток в открытом сост. (Макс): 70A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.5V
- Отпирающий ток: 150mA
- Ударный ток: 650A @ 50Hz
- Ток удержания: 200mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Структура: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
- Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.6kV
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2V
- Отпирающий ток: 100mA
- Ударный ток: 1600A @ 50Hz
- Ток удержания: 220mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Структура: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
- Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.6kV
- Ток в открытом сост. (Макс): 70A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.5V
- Отпирающий ток: 150mA
- Ударный ток: 650A @ 50Hz
- Ток удержания: 200mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: E2
- Структура: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
- Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.6kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 48A
- Ток в открытом сост. (Макс): 200A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 1.5V
- Отпирающий ток: 95mA
- Ударный ток: 1100A, 1190A
- Ток удержания: 200mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: E2
- Структура: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
- Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.6kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 135A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 1.5V
- Отпирающий ток: 78mA
- Ток удержания: 100mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: ECOPACK®2
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Структура: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
- Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
- Напряжение в закрытом состоянии: 2.2kV
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 1.5V
- Отпирающий ток: 70mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: V2-PAK
- Структура: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
- Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.2kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 120A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 1.5V
- Отпирающий ток: 100mA
- Ударный ток: 750A @ 50MHz
- Ток удержания: 200mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: E2
- Структура: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
- Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.6kV
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 1.4V
- Отпирающий ток: 80mA
- Ударный ток: 700A, 755A
- Ток удержания: 100mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Структура: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
- Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.6kV
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2V
- Отпирающий ток: 100mA
- Ударный ток: 1600A @ 50Hz
- Ток удержания: 220mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: E2
- Структура: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
- Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
- Напряжение в закрытом состоянии: 2.2kV
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 1.4V
- Отпирающий ток: 70mA
- Ударный ток: 500A, 540A
- Ток удержания: 100mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100