-
- Current - On State (It (AV)) (Max)
- Напряжение открытия (Vgt) (макс)
- Отпирающий ток
- Ударный ток
- Ток удержания
- Серия
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: D-55
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 600V
- Current - On State (It (AV)) (Max): 90A
- Ток в открытом сост. (Макс): 141A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.5V
- Отпирающий ток: 120mA
- Ударный ток: 1780A, 1870A
- Ток удержания: 200mA
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: D-55
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.2kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 90A
- Ток в открытом сост. (Макс): 141A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.5V
- Отпирающий ток: 120mA
- Ударный ток: 1780A, 1870A
- Ток удержания: 200mA
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: D-55 T-Module
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 1kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 90A
- Ток в открытом сост. (Макс): 141A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.5V
- Отпирающий ток: 120mA
- Ударный ток: 1780A, 1870A
- Ток удержания: 200mA
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: D-55 T-Module
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.2kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 50A
- Ток в открытом сост. (Макс): 80A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.5V
- Отпирающий ток: 100mA
- Ударный ток: 1310A, 1370A
- Ток удержания: 200mA
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: D-55
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.2kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 50A
- Ток в открытом сост. (Макс): 80A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.5V
- Отпирающий ток: 100mA
- Ударный ток: 1310A, 1370A
- Ток удержания: 200mA
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-200AB, E-PUK
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 600V
- Current - On State (It (AV)) (Max): 960A
- Ток в открытом сост. (Макс): 1900A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 3V
- Отпирающий ток: 200mA
- Ударный ток: 15000A, 15700A
- Ток удержания: 600mA
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: D-55 T-Module
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 1kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 50A
- Ток в открытом сост. (Макс): 80A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.5V
- Отпирающий ток: 100mA
- Ударный ток: 1310A, 1370A
- Ток удержания: 200mA
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: D-55 T-Module
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.2kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 90A
- Ток в открытом сост. (Макс): 141A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.5V
- Отпирающий ток: 120mA
- Ударный ток: 1780A, 1870A
- Ток удержания: 200mA
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: D-55 T-Module
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 800V
- Current - On State (It (AV)) (Max): 90A
- Ток в открытом сост. (Макс): 141A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.5V
- Отпирающий ток: 120mA
- Ударный ток: 1780A, 1870A
- Ток удержания: 200mA
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: D-55 T-Module
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 800V
- Current - On State (It (AV)) (Max): 50A
- Ток в открытом сост. (Макс): 80A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.5V
- Отпирающий ток: 100mA
- Ударный ток: 1310A, 1370A
- Ток удержания: 200mA
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: D-55 T-Module
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 200V
- Current - On State (It (AV)) (Max): 70A
- Ток в открытом сост. (Макс): 110A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.5V
- Отпирающий ток: 120mA
- Ударный ток: 1660A, 1740A
- Ток удержания: 200mA
- 10
- 15
- 50
- 100