-
- Current - On State (It (AV)) (Max)
- Напряжение открытия (Vgt) (макс)
- Отпирающий ток
- Ударный ток
- Ток удержания
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
- Package / Case: TO-200AC
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 3.6kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 860A
- Ток в открытом сост. (Макс): 2000A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2V
- Отпирающий ток: 250mA
- Ударный ток: 18000A @ 50Hz
- Ток удержания: 500mA
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.6kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 860A
- Ток в открытом сост. (Макс): 1500A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2V
- Отпирающий ток: 250mA
- Ток удержания: 500mA
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
- Package / Case: DO-200AB, B-PUK
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 2.6kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 460A
- Ток в открытом сост. (Макс): 1000A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 1.5V
- Отпирающий ток: 250mA
- Ударный ток: 10000A @ 50Hz
- Ток удержания: 200mA
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
- Package / Case: DO-200AB, B-PUK
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 2.2kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 700A
- Ток в открытом сост. (Макс): 1500A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.2V
- Отпирающий ток: 250mA
- Ударный ток: 13500A @ 50Hz
- Ток удержания: 300mA
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 140°C
- Package / Case: DO-200AB, B-PUK
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 600V
- Current - On State (It (AV)) (Max): 1490A
- Ток в открытом сост. (Макс): 2500A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 1.5V
- Отпирающий ток: 250mA
- Ударный ток: 23000A @ 50Hz
- Ток удержания: 300mA
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
- Package / Case: TO-200AF
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 3.6kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 2700A
- Ток в открытом сост. (Макс): 2990A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.5V
- Отпирающий ток: 350mA
- Ударный ток: 44000A @ 50Hz
- Ток удержания: 350mA
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
- Package / Case: Module
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.8kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 819A
- Ток в открытом сост. (Макс): 1500A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2V
- Отпирающий ток: 250mA
- Ударный ток: 35000A @ 50Hz
- Ток удержания: 500mA
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Screw Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
- Package / Case: Nonstandard
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.9kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 160A
- Ток в открытом сост. (Макс): 300A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 1.4V
- Отпирающий ток: 150mA
- Ударный ток: 3600A @ 50Hz
- Ток удержания: 200mA
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
- Package / Case: DO-200AD
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 2.2kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 1960A
- Ток в открытом сост. (Макс): 4100A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.5V
- Отпирающий ток: 300mA
- Ударный ток: 40000A @ 50Hz
- Ток удержания: 300mA
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
- Package / Case: TO-200AA
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.6kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 470A
- Ток в открытом сост. (Макс): 800A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2V
- Отпирающий ток: 200mA
- Ударный ток: 7100A @ 50Hz
- Ток удержания: 300mA
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
- Package / Case: DO-200AB, B-PUK
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 2.6kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 660A
- Ток в открытом сост. (Макс): 1500A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.2V
- Отпирающий ток: 250mA
- Ударный ток: 13000A @ 50Hz
- Ток удержания: 300mA
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
- Package / Case: DO-200AE
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 1.8kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 3160A
- Ток в открытом сост. (Макс): 7000A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.5V
- Отпирающий ток: 250mA
- Ударный ток: 63000A @ 50Hz
- Ток удержания: 300mA
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
- Package / Case: Module
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 2.4kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 445A
- Ток в открытом сост. (Макс): 700A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 1.5V
- Отпирающий ток: 250mA
- Ударный ток: 9000A @ 50Hz
- Ток удержания: 300mA
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
- Package / Case: DO-200AE
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 2.8kV
- Current - On State (It (AV)) (Max): 2490A
- Ток в открытом сост. (Макс): 5100A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 2.5V
- Отпирающий ток: 250mA
- Ударный ток: 47500A @ 50Hz
- Ток удержания: 300mA
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 140°C
- Package / Case: DO-200AB, B-PUK
- Структура: Single
- Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
- Напряжение в закрытом состоянии: 600V
- Current - On State (It (AV)) (Max): 1490A
- Ток в открытом сост. (Макс): 2500A
- Напряжение открытия (Vgt) (макс): 1.5V
- Отпирающий ток: 250mA
- Ударный ток: 23000A @ 50Hz
- Ток удержания: 300mA
- 10
- 15
- 50
- 100