Найдено: 7512
  • IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Напряжение питания: 10.8V ~ 13.2V
    • Driven Configuration: Half-Bridge
    • Channel Type: Synchronous
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: N-Channel MOSFET
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 1.25A, 2A
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36V
    • Rise / Fall Time (Typ): 26ns, 18ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TDFN
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 8-VFDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 8-TDFN (3x3)
    • Напряжение питания: 7.5V ~ 16V
    • Driven Configuration: Low-Side
    • Channel Type: Independent
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: N-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 2.4V, 9.6V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 6A, 6A
    • Входной каскад: Inverting
    • Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Напряжение питания: 10V ~ 20V
    • Driven Configuration: High-Side
    • Channel Type: Single
    • Number of Drivers: 1
    • Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V
    • Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 15ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
    Texas Instruments
    • Производитель: Texas Instruments
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
    • Тип корпуса: 8-MSOP-PowerPad
    • Напряжение питания: 9V ~ 14V
    • Driven Configuration: Half-Bridge
    • Channel Type: Independent
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: N-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 2.3V, -
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 118V
    • Rise / Fall Time (Typ): 990ns, 715ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    Texas Instruments
    • Производитель: Texas Instruments
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 140°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Напряжение питания: 8V ~ 17V
    • Driven Configuration: Half-Bridge
    • Channel Type: Independent
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: N-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 2.4V, 5.8V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 120V
    • Rise / Fall Time (Typ): 7.2ns, 5.5ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Напряжение питания: 10V ~ 20V
    • Driven Configuration: Half-Bridge
    • Channel Type: Independent
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 60mA, 130mA
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V
    • Rise / Fall Time (Typ): 200ns, 100ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOP
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 24-SSOP (0.209", 5.30mm Width)
    • Тип корпуса: 24-SSOP
    • Напряжение питания: 11.5V ~ 20V
    • Driven Configuration: Half-Bridge
    • Channel Type: Independent
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: IGBT
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 3A
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200V
    • Rise / Fall Time (Typ): 24ns, 7ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
    • Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 14-PDIP
    • Напряжение питания: 10V ~ 35V
    • Driven Configuration: Half-Bridge
    • Channel Type: Independent
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.6V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 6A, 6A
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V
    • Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 17ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads
    • Тип корпуса: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
    • Напряжение питания: 11.5V ~ 20V
    • Driven Configuration: Half-Bridge
    • Channel Type: 3-Phase
    • Number of Drivers: 6
    • Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
    • Входной каскад: Inverting, Non-Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V
    • Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
    • Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: PG-DSO-14-49
    • Напряжение питания: 10V ~ 20V
    • Driven Configuration: Half-Bridge
    • Channel Type: Synchronous
    • Number of Drivers: 1
    • Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650V
    • Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 700V HALF-BRIDGE DRIVER
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Напряжение питания: 10V ~ 20V
    • Driven Configuration: Half-Bridge
    • Channel Type: Independent
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 60mA, 130mA
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 700V
    • Rise / Fall Time (Typ): 200ns, 100ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC LOW SIDE SWITCH 8SOIC
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC HVIC 8SOIC N
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO14
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: EiceDriver™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: PG-DSO-14
    • Напряжение питания: 10V ~ 20V
    • Driven Configuration: Half-Bridge
    • Channel Type: Independent
    • Number of Drivers: 2
    • Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
    • Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
    • Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
    • Входной каскад: Non-Inverting
    • High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600V
    • Rise / Fall Time (Typ): 48ns, 24ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: