Найдено: 63748
Наименование Описание Производитель
Вид монтажа
Формат памяти
Тактовая частота
Тип памяти
Объем памяти
Напряжение питания
Технология
Рабочая температура
Тип корпуса
Package / Case
Время доступа
Интерфейс
Время цикла записи - слово, страница
Серия
AT25SF321B-SSHB-T 8SOIC-N IND TEMP 2.7V Adesto Technologies Surface Mount FLASH 108MHz Non-Volatile 32Mb (4M x 8) 2.7V ~ 3.6V FLASH - NOR -40°C ~ 85°C (TA) 8-SOIC 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SPI - Quad I/O 50µs, 3ms
S25FL064P0XMFA003 IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 16SOIC Cypress Semiconductor Corp Surface Mount FLASH 104MHz Non-Volatile 64Mb (8M x 8) 2.7V ~ 3.6V FLASH - NOR -40°C ~ 85°C (TA) 16-SOIC 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) SPI - Quad I/O 5µs, 3ms Automotive, AEC-Q100, FL-P
GS8256436GB-400I IC SRAM 288MBIT PAR 119FPBGA GSI Technology Inc. Surface Mount SRAM 400MHz Volatile 288Mb (8M x 36) 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V SRAM - Synchronous, Standard -40°C ~ 100°C (TJ) 119-FPBGA (22x14) 119-BGA Parallel
IS25WQ040-JNLE-TR IC FLASH 4MBIT SPI 104MHZ 8SOP ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Surface Mount FLASH 104MHz Non-Volatile 4Mb (512K x 8) 1.65V ~ 1.95V FLASH - NOR -40°C ~ 105°C (TA) 8-SOIC 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) SPI 1ms
IS61NLP12836B-200B2LI-TR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Surface Mount SRAM 200MHz Volatile 4.5Mb (128K x 36) 3.135V ~ 3.465V SRAM - Synchronous, SDR -40°C ~ 85°C (TA) 119-PBGA (14x22) 119-BBGA 3.1ns Parallel
MX29LV400CBXEI-70G IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48LFBGA Macronix Surface Mount FLASH Non-Volatile 4Mb (512K x 8) 2.7V ~ 3.6V FLASH - NOR -40°C ~ 85°C (TA) 48-LFBGA, CSP (6x8) 48-LFBGA, CSPBGA 70ns Parallel 70ns MX29LV
MX25L25645GXDI-10G IC FLASH 256MBIT SPI 24CSPBGA Macronix Surface Mount FLASH 120MHz Non-Volatile 256Mb (32M x 8) 2.7V ~ 3.6V FLASH - NOR -40°C ~ 85°C (TA) 24-CSPBGA (6x8) 24-TBGA, CSPBGA SPI 30µs, 750µs MXSMIO™
MX25U1635FBAI-10G IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 12WLCSP Macronix Surface Mount FLASH 104MHz Non-Volatile 16Mb (2M x 8) 1.65V ~ 2V FLASH - NOR -40°C ~ 85°C (TA) 12-WLCSP 12-UFBGA, WLCSP SPI - Quad I/O 30µs, 1.5ms MX25xxx35/36 - MXSMIO™
24LC21T-I/SN IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOIC Microchip Technology Surface Mount EEPROM 400kHz Non-Volatile 1Kb (128 x 8) 2.5V ~ 5.5V EEPROM -40°C ~ 85°C (TA) 8-SOIC 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 900ns I²C 10ms
AT25080A-10PI-2.7 IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8DIP Microchip Technology Through Hole EEPROM 20MHz Non-Volatile 8Kb (1K x 8) 2.7V ~ 5.5V EEPROM -40°C ~ 85°C (TA) 8-PDIP 8-DIP (0.300", 7.62mm) SPI 5ms
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA Micron Technology Inc. Surface Mount DRAM 200MHz Volatile 4Gb (128M x 32) 1.7V ~ 1.95V SDRAM - Mobile LPDDR -40°C ~ 85°C (TA) 168-WFBGA (12x12) 168-WFBGA 5ns Parallel 15ns
CAT24C208WI-G IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8SOIC onsemi Surface Mount EEPROM 400kHz Non-Volatile 8Kb (256 x 8 x 4) 2.5V ~ 5.5V EEPROM -40°C ~ 85°C (TA) 8-SOIC 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 900ns I²C 5ms
CY7C1041CV33-20ZSXAT STANDARD SRAM, 256KX16, CMOS Rochester Electronics, LLC Surface Mount SRAM Volatile 4Mb (256K x 16) 3V ~ 3.6V SRAM - Asynchronous -40°C ~ 85°C (TA) 44-TSOP II 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 20ns Parallel 20ns
CY27C256-45JC OTP ROM, 32KX8, 45NS PQCC32 Rochester Electronics, LLC
W25Q128FVFIQ IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC Winbond Electronics Surface Mount FLASH 104MHz Non-Volatile 128Mb (16M x 8) 2.7V ~ 3.6V FLASH - NOR -40°C ~ 85°C (TA) 16-SOIC 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) SPI - Quad I/O, QPI 50µs, 3ms SpiFlash®

Полупроводниковая память — это цифровое электронное устройство, используемое для хранения цифровых данных, например, в компьютерах. Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в ячейках памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) на кремниевой микросхеме памяти на интегральной схеме. Существует множество различных типов, использующих разные полупроводниковые технологии. Двумя основными типами оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая ОЗУ (SRAM), в которой используется несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ (DRAM), в которой на ячейку используется транзистор и МОП-конденсатор. В энергонезависимой памяти (такой как EPROM, EEPROM и флэш-память) используются ячейки памяти с плавающим затвором, которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.

Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа, что означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому к данным можно эффективно получить доступ в любом случайном порядке. Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски, которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным можно получить только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа, чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или прочитан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд, тогда как время доступа к вращающимся хранилищам, таким как жесткие диски, находится в диапазоне миллисекунд.

Продажи полупроводниковых чипов памяти составляет 30% полупроводниковой промышленности. Сдвиговые регистры, регистры процессора, буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.


Справочная информация по основным параметрам:

Memory Type (Тип памяти) — Память делится на два основных типа - энергозависимая и энергонезависимая. Последнее означает что данные, помещенные в память не теряются после отключения питания.
Write Cycle Time - Word, Page (Время цикла записи - слово, страница) — Минимальное время, отсчитываемое от установки данных на шине адреса, необходимое для записи данных в ячейки памяти.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Access Time (Время доступа) — Одна из главных характеристик памяти, обозначающая время с момента установки адреса до появления валидных уровней на шине данных.
Memory Size (Объем памяти) — Объем, количество ячеек памяти на одном чипе.
Clock Frequency (Тактовая частота) — Частота тактовых импульсов, подающихся на отдельный вывод микросхемы и обеспечивающая переключение логических цепочек во время циклов чтения, записи, регенерации.