- Формат памяти
- Тактовая частота
- Тип памяти
- Объем памяти
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Вид монтажа
|
Формат памяти
|
Тактовая частота
|
Тип памяти
|
Объем памяти
|
Напряжение питания
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Package / Case
|
Время доступа
|
Интерфейс
|
Время цикла записи - слово, страница
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CY7C1413AV18-250BZCT | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA | Cypress Semiconductor Corp | Surface Mount | SRAM | 250MHz | Volatile | 36Mb (2M x 18) | 1.7V ~ 1.9V | SRAM - Synchronous, QDR II+ | 0°C ~ 70°C (TA) | 165-FBGA (15x17) | 165-LBGA | Parallel | |||
IS43LR16800G-6BLI-TR | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Surface Mount | DRAM | 166MHz | Volatile | 128Mb (8M x 16) | 1.7V ~ 1.95V | SDRAM - Mobile LPDDR | -40°C ~ 85°C (TA) | 60-TFBGA (8x10) | 60-TFBGA | 5.5ns | Parallel | 15ns | |
IS26KL128S-DABLI00 | IC FLASH 128MBIT PAR 24VFBGA | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Surface Mount | FLASH | 100MHz | Non-Volatile | 128Mb (16M x 8) | 2.7V ~ 3.6V | FLASH - NOR | -40°C ~ 85°C (TA) | 24-VFBGA (6x8) | 24-VBGA | 96ns | Parallel | ||
AT25080B-MAHL-T | IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8UDFN | Microchip Technology | Surface Mount | EEPROM | 20MHz | Non-Volatile | 8Kb (1K x 8) | 1.8V ~ 5.5V | EEPROM | -40°C ~ 85°C (TA) | 8-UDFN (2x3) | 8-UFDFN Exposed Pad | SPI | 5ms | ||
SST25VF020B-80-4I-QAE | IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8WSON | Microchip Technology | Surface Mount | FLASH | 80MHz | Non-Volatile | 2Mb (256K x 8) | 2.7V ~ 3.6V | FLASH | -40°C ~ 85°C (TA) | 8-WSON | 8-WDFN Exposed Pad | SPI | 10µs | SST25 | |
SST49LF080A-33-4C-NHE-T | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 32PLCC | Microchip Technology | Surface Mount | FLASH | 33MHz | Non-Volatile | 8Mb (1M x 8) | 3V ~ 3.6V | FLASH | 0°C ~ 85°C (TA) | 32-PLCC (11.43x13.97) | 32-LCC (J-Lead) | 120ns | Parallel | 20µs | SST49 |
MT46V128M8P-6T:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 66TSOP | Micron Technology Inc. | Surface Mount | DRAM | 167MHz | Volatile | 1Gb (128M x 8) | 2.3V ~ 2.7V | SDRAM - DDR | 0°C ~ 70°C (TA) | 66-TSOP | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) | 700ps | Parallel | 15ns | |
MT48H16M32LFCM-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA | Micron Technology Inc. | Surface Mount | DRAM | 166MHz | Volatile | 512Mb (16M x 32) | 1.7V ~ 1.95V | SDRAM - Mobile LPSDR | 0°C ~ 70°C (TA) | 90-VFBGA (10x13) | 90-VFBGA | 5ns | Parallel | 15ns | |
MT53B256M64D2NW-062 WT:C | IC DRAM 16GBIT 1600MHZ FBGA | Micron Technology Inc. | DRAM | 1.6GHz | Volatile | 16Gb (256M x 64) | 1.1V | SDRAM - Mobile LPDDR4 | -30°C ~ 85°C (TC) | |||||||
MT46V32M16P-6T:F | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | Micron Technology Inc. | Surface Mount | DRAM | 167MHz | Volatile | 512Mb (32M x 16) | 2.3V ~ 2.7V | SDRAM - DDR | 0°C ~ 70°C (TA) | 66-TSOP | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) | 700ps | Parallel | 15ns | |
70V7519S200BC8 | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA | Renesas Electronics America Inc | Surface Mount | SRAM | 200MHz | Volatile | 9Mb (256K x 36) | 3.15V ~ 3.45V | SRAM - Dual Port, Synchronous | 0°C ~ 70°C (TA) | 256-CABGA (17x17) | 256-LBGA | 3.4ns | Parallel | ||
7024S20PFG | IC SRAM | Renesas Electronics America Inc | Surface Mount | SRAM | Volatile | 64Kb (4K x 16) | 4.5V ~ 5.5V | SRAM - Dual Port, Asynchronous | 0°C ~ 70°C (TA) | 100-TQFP (14x14) | 100-LQFP | 20ns | Parallel | 20ns | ||
IDT71V2556S150PF8 | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP | Renesas Electronics America Inc | Surface Mount | SRAM | 150MHz | Volatile | 4.5Mb (128K x 36) | 3.135V ~ 3.465V | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | 0°C ~ 70°C (TA) | 100-TQFP (14x14) | 100-LQFP | 3.8ns | Parallel | ||
70V06S45PF8 | IC SRAM 128KBIT PARALLEL 64TQFP | Renesas Electronics America Inc | Surface Mount | SRAM | Volatile | 128Kb (16K x 8) | 3V ~ 3.6V | SRAM - Dual Port, Asynchronous | 0°C ~ 70°C (TA) | 64-TQFP (14x14) | 64-LQFP | 45ns | Parallel | 45ns | ||
BR25L160-W | IC EEPROM 16KBIT SPI 5MHZ 8DIP | Rohm Semiconductor | Through Hole | EEPROM | 5MHz | Non-Volatile | 16Kb (2K x 8) | 1.8V ~ 5.5V | EEPROM | -40°C ~ 85°C (TA) | 8-DIP-T | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | SPI | 5ms |
- 10
- 15
- 50
- 100
Полупроводниковая память — это цифровое электронное устройство, используемое для хранения цифровых данных, например, в компьютерах. Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в ячейках памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) на кремниевой микросхеме памяти на интегральной схеме. Существует множество различных типов, использующих разные полупроводниковые технологии. Двумя основными типами оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая ОЗУ (SRAM), в которой используется несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ (DRAM), в которой на ячейку используется транзистор и МОП-конденсатор. В энергонезависимой памяти (такой как EPROM, EEPROM и флэш-память) используются ячейки памяти с плавающим затвором, которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.
Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа, что означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому к данным можно эффективно получить доступ в любом случайном порядке. Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски, которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным можно получить только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа, чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или прочитан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд, тогда как время доступа к вращающимся хранилищам, таким как жесткие диски, находится в диапазоне миллисекунд.
Продажи полупроводниковых чипов памяти составляет 30% полупроводниковой промышленности. Сдвиговые регистры, регистры процессора, буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.