- Формат памяти
- Тактовая частота
- Тип памяти
- Объем памяти
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Вид монтажа
|
Формат памяти
|
Тактовая частота
|
Тип памяти
|
Объем памяти
|
Напряжение питания
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Package / Case
|
Время доступа
|
Интерфейс
|
Время цикла записи - слово, страница
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DS2430AD/T&R | IC EEPROM 256B 1-WIRE 4FLIPCHIP | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Surface Mount | EEPROM | Non-Volatile | 256b (32 x 8) | EEPROM | -40°C ~ 85°C (TA) | 4-FlipChip (2.39x1.73) | 4-UBGA, FCBGA | 15µs | 1-Wire® | ||||
AT25040A-10TQ-2.7 | EEPROM, 512X8, SERIAL, CMOS | Atmel | Surface Mount | EEPROM | 20MHz | Non-Volatile | 4Kb (512 x 8) | 2.7V ~ 5.5V | EEPROM | -40°C ~ 125°C (TA) | 8-TSSOP | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | SPI | 5ms | ||
CY7C1370DV25-167CKJ | SYNC RAM | Cypress Semiconductor Corp | SRAM | 167MHz | Volatile | 18Mb (512K x 36) | 2.375V ~ 2.625V | SRAM - Synchronous, SDR | -40°C ~ 85°C (TA) | 3.4ns | Parallel | NoBL™ | ||||
S29GL064S80FHIS23 | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA | Cypress Semiconductor Corp | Surface Mount | FLASH | Non-Volatile | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) | 2.7V ~ 3.6V | FLASH - NOR | -40°C ~ 85°C (TA) | 64-FBGA (13x11) | 64-LBGA | 80ns | Parallel | 60ns | Automotive, AEC-Q100, GL-S | |
CY7C1415AV18-250BZC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA | Cypress Semiconductor Corp | Surface Mount | SRAM | 250MHz | Volatile | 36Mb (1M x 36) | 1.7V ~ 1.9V | SRAM - Synchronous, QDR II+ | 0°C ~ 70°C (TA) | 165-FBGA (15x17) | 165-LBGA | Parallel | |||
IS43R16320F-6TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Surface Mount | DRAM | 167MHz | Volatile | 512Mb (32M x 16) | 2.3V ~ 2.7V | SDRAM - DDR | -40°C ~ 85°C (TA) | 66-TSOP II | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) | 700ps | Parallel | 15ns | |
SST39SF040-45-4I-WHE-T | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32TSOP | Microchip Technology | Surface Mount | FLASH | Non-Volatile | 4Mb (512K x 8) | 4.5V ~ 5.5V | FLASH | -40°C ~ 85°C (TA) | 32-TSOP | 32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) | 45ns | Parallel | 20µs | SST39 MPF™ | |
AT49F002-70VC | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32VSOP | Microchip Technology | Surface Mount | FLASH | Non-Volatile | 2Mb (256K x 8) | 4.5V ~ 5.5V | FLASH | 0°C ~ 70°C (TC) | 32-VSOP | 32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) | 70ns | Parallel | 50µs | ||
MT29F2G01AAAEDH4-IT:E TR | IC FLASH 2G SPI 63VFBGA | Micron Technology Inc. | Surface Mount | FLASH | Non-Volatile | 2Gb (2G x 1) | 2.7V ~ 3.6V | FLASH - NAND | -40°C ~ 85°C (TA) | 63-VFBGA (9x11) | 63-VFBGA | SPI | ||||
EDBM432B3PF-1D-F-R TR | IC DRAM 12G PARALLEL 168FBGA | Micron Technology Inc. | Surface Mount | DRAM | 533MHz | Volatile | 12Gb (384M x 32) | 1.14V ~ 1.95V | SDRAM - Mobile LPDDR2 | -30°C ~ 85°C (TC) | 168-FBGA (12x12) | 168-VFBGA | Parallel | |||
R1LP0408DSB-5SI#B1 | IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II | Renesas Electronics America | Surface Mount | SRAM | Volatile | 4Mb (512K x 8) | 4.5V ~ 5.5V | SRAM | -40°C ~ 85°C (TA) | 32-TSOP II | 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) | 55ns | Parallel | 55ns | ||
70V06S45PF | IC SRAM 128KBIT PARALLEL 64TQFP | Renesas Electronics America Inc | Surface Mount | SRAM | Volatile | 128Kb (16K x 8) | 3V ~ 3.6V | SRAM - Dual Port, Asynchronous | 0°C ~ 70°C (TA) | 64-TQFP (14x14) | 64-LQFP | 45ns | Parallel | 45ns | ||
IDT71V424L10Y | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | Renesas Electronics America Inc | Surface Mount | SRAM | Volatile | 4Mb (512K x 8) | 3V ~ 3.6V | SRAM - Asynchronous | 0°C ~ 70°C (TA) | 36-SOJ | 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) | 10ns | Parallel | 10ns | ||
CY7C1360B-200AJC | CACHE SRAM, 256KX36, 3NS | Rochester Electronics, LLC | ||||||||||||||
BR24T02NUX-WGTR | IC EEPROM 2K I2C VSON008X2030 | Rohm Semiconductor | Surface Mount | EEPROM | 400kHz | Non-Volatile | 2Kb (256 x 8) | 1.6V ~ 5.5V | EEPROM | -40°C ~ 85°C (TA) | VSON008X2030 | 8-UFDFN Exposed Pad | I²C | 5ms |
- 10
- 15
- 50
- 100
Полупроводниковая память — это цифровое электронное устройство, используемое для хранения цифровых данных, например, в компьютерах. Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в ячейках памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) на кремниевой микросхеме памяти на интегральной схеме. Существует множество различных типов, использующих разные полупроводниковые технологии. Двумя основными типами оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая ОЗУ (SRAM), в которой используется несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ (DRAM), в которой на ячейку используется транзистор и МОП-конденсатор. В энергонезависимой памяти (такой как EPROM, EEPROM и флэш-память) используются ячейки памяти с плавающим затвором, которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.
Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа, что означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому к данным можно эффективно получить доступ в любом случайном порядке. Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски, которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным можно получить только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа, чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или прочитан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд, тогда как время доступа к вращающимся хранилищам, таким как жесткие диски, находится в диапазоне миллисекунд.
Продажи полупроводниковых чипов памяти составляет 30% полупроводниковой промышленности. Сдвиговые регистры, регистры процессора, буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.