Найдено: 63748
Наименование Описание Производитель
Вид монтажа
Формат памяти
Тактовая частота
Тип памяти
Объем памяти
Напряжение питания
Технология
Рабочая температура
Тип корпуса
Package / Case
Время доступа
Интерфейс
Время цикла записи - слово, страница
Серия
AT45DB011D-SSH-SL955 IC FLASH 1MBIT SPI 66MHZ 8SOIC Adesto Technologies Surface Mount FLASH 66MHz Non-Volatile 1Mb (256 Bytes x 512 pages) 2.7V ~ 3.6V FLASH -40°C ~ 85°C (TC) 8-SOIC 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SPI 4ms
S25FL256SAGBHVB00 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA Cypress Semiconductor Corp Surface Mount FLASH 133MHz Non-Volatile 256Mb (32M x 8) 2.7V ~ 3.6V FLASH - NOR -40°C ~ 105°C (TA) 24-BGA (6x8) 24-TBGA SPI - Quad I/O FL-S
CY7C1150KV18-450BZC IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA Cypress Semiconductor Corp Surface Mount SRAM 450MHz Volatile 18Mb (512K x 36) 1.7V ~ 1.9V SRAM - Synchronous, DDR II 0°C ~ 70°C (TA) 165-FBGA (13x15) 165-LBGA Parallel
CY7C199C-12VXC IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Cypress Semiconductor Corp Surface Mount SRAM Volatile 256Kb (32K x 8) 4.5V ~ 5.5V SRAM - Asynchronous 0°C ~ 70°C (TA) 28-SOJ 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 12ns Parallel 12ns
CY7C1470BV25-200BZI IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA Cypress Semiconductor Corp Surface Mount SRAM 200MHz Volatile 72Mb (2M x 36) 2.375V ~ 2.625V SRAM - Synchronous, SDR -40°C ~ 85°C (TA) 165-FBGA (15x17) 165-LBGA 3ns Parallel NoBL™
S25FL512SAGBHM210 IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 24BGA Cypress Semiconductor Corp Surface Mount FLASH 133MHz Non-Volatile 512Mb (64M x 8) 2.7V ~ 3.6V FLASH - NOR -40°C ~ 125°C (TA) 24-BGA (8x6) 24-TBGA SPI - Quad I/O Automotive, AEC-Q100, FL-S
FM24C17UFLM8 IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC Fairchild Semiconductor Surface Mount EEPROM 400kHz Non-Volatile 16Kb (2K x 8) 2.7V ~ 5.5V EEPROM 0°C ~ 70°C (TA) 8-SOIC 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 900ns I²C 15ms
IS29GL256-70FLET IC FLASH 256MBIT PAR 64LFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Surface Mount FLASH Non-Volatile 256Mb (32M x 8) 2.7V ~ 3.6V FLASH - NOR -40°C ~ 105°C (TA) 64-LFBGA (11x13) 64-LBGA 70ns Parallel 200µs
93LC46C-E/P IC EEPROM 1KBIT SPI 3MHZ 8DIP Microchip Technology Through Hole EEPROM 3MHz Non-Volatile 1Kb (128 x 8 , 64 x 16) 2.5V ~ 5.5V EEPROM -40°C ~ 125°C (TA) 8-PDIP 8-DIP (0.300", 7.62mm) SPI 6ms
AT49LV002NT-12PI IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32DIP Microchip Technology Through Hole FLASH Non-Volatile 2Mb (256K x 8) 3V ~ 3.6V FLASH -40°C ~ 85°C (TC) 32-PDIP 32-DIP (0.600", 15.24mm) 120ns Parallel 50µs
AT28HC64B-90JC IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 32PLCC Microchip Technology Surface Mount EEPROM Non-Volatile 64Kb (8K x 8) 4.5V ~ 5.5V EEPROM 0°C ~ 70°C (TC) 32-PLCC (13.97x11.43) 32-LCC (J-Lead) 90ns Parallel 10ms
MT53D4DHSB-DC TR SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 Micron Technology Inc.
MT53D1024M32D4NQ-046 AIT:D IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA Micron Technology Inc. Surface Mount DRAM 2133MHz Volatile 32Gb (1G x 32) 1.1V SDRAM - Mobile LPDDR4 -40°C ~ 95°C (TC) 200-VFBGA (10x14.5) 200-VFBGA
CY7C0430CV-133BGI FOUR-PORT SRAM, 64KX18 Rochester Electronics, LLC
S34ML01G204TFA010 1 GB, 3 V, SLC NAND FLASH Rochester Electronics, LLC

Полупроводниковая память — это цифровое электронное устройство, используемое для хранения цифровых данных, например, в компьютерах. Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в ячейках памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) на кремниевой микросхеме памяти на интегральной схеме. Существует множество различных типов, использующих разные полупроводниковые технологии. Двумя основными типами оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая ОЗУ (SRAM), в которой используется несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ (DRAM), в которой на ячейку используется транзистор и МОП-конденсатор. В энергонезависимой памяти (такой как EPROM, EEPROM и флэш-память) используются ячейки памяти с плавающим затвором, которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.

Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа, что означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому к данным можно эффективно получить доступ в любом случайном порядке. Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски, которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным можно получить только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа, чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или прочитан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд, тогда как время доступа к вращающимся хранилищам, таким как жесткие диски, находится в диапазоне миллисекунд.

Продажи полупроводниковых чипов памяти составляет 30% полупроводниковой промышленности. Сдвиговые регистры, регистры процессора, буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.


Справочная информация по основным параметрам:

Memory Type (Тип памяти) — Память делится на два основных типа - энергозависимая и энергонезависимая. Последнее означает что данные, помещенные в память не теряются после отключения питания.
Write Cycle Time - Word, Page (Время цикла записи - слово, страница) — Минимальное время, отсчитываемое от установки данных на шине адреса, необходимое для записи данных в ячейки памяти.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Access Time (Время доступа) — Одна из главных характеристик памяти, обозначающая время с момента установки адреса до появления валидных уровней на шине данных.
Memory Size (Объем памяти) — Объем, количество ячеек памяти на одном чипе.
Clock Frequency (Тактовая частота) — Частота тактовых импульсов, подающихся на отдельный вывод микросхемы и обеспечивающая переключение логических цепочек во время циклов чтения, записи, регенерации.