• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 63748
Наименование Описание Производитель
Вид монтажа
Формат памяти
Тактовая частота
Тип памяти
Объем памяти
Напряжение питания
Технология
Рабочая температура
Тип корпуса
Package / Case
Время доступа
Интерфейс
Время цикла записи - слово, страница
Серия
AS4C64M16D3LA-12BANTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA Alliance Memory, Inc. Surface Mount DRAM 800MHz Volatile 1Gb (64M x 16) 1.283V ~ 1.45V SDRAM - DDR3L -40°C ~ 105°C (TC) 96-FBGA (8x13) 96-VFBGA 20ns Parallel 15ns Automotive, AEC-Q100
S25FS064SDSMFB010 IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC Cypress Semiconductor Corp Surface Mount FLASH 80MHz Non-Volatile 64Mb (8M x 8) 1.7V ~ 2V FLASH - NOR -40°C ~ 105°C (TA) 8-SOIC 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) SPI - Quad I/O, QPI FS-S
S29AL016J70BFI012 IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48FBGA Cypress Semiconductor Corp Surface Mount FLASH Non-Volatile 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 2.7V ~ 3.6V FLASH - NOR -40°C ~ 85°C (TA) 48-FBGA (8.15x6.15) 48-VFBGA 70ns Parallel 70ns AL-J
CY7C0831AV-133BBXI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 144FBGA Cypress Semiconductor Corp Surface Mount SRAM 133MHz Volatile 2Mb (128K x 18) 3.135V ~ 3.465V SRAM - Dual Port, Synchronous -40°C ~ 85°C (TA) 144-FBGA (13x13) 144-LBGA Parallel
71V124SA10YGI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ IDT, Integrated Device Technology Inc Surface Mount SRAM Volatile 1Mb (128K x 8) 3.15V ~ 3.6V SRAM - Asynchronous -40°C ~ 85°C (TA) 32-SOJ 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 10ns Parallel 10ns
IS61LPS25618A-200TQI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Surface Mount SRAM 200MHz Volatile 4.5Mb (256K x 18) 3.135V ~ 3.465V SRAM - Synchronous, SDR -40°C ~ 85°C (TA) 100-LQFP (14x20) 100-LQFP 3.1ns Parallel
AT29LV040A-20TC IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32TSOP Microchip Technology Surface Mount FLASH Non-Volatile 4Mb (512K x 8) 3V ~ 3.6V FLASH 0°C ~ 70°C (TC) 32-TSOP 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 200ns Parallel 20ms
SST25VF020-20-4C-QAE IC FLASH 2MBIT SPI 20MHZ 8WSON Microchip Technology Surface Mount FLASH 20MHz Non-Volatile 2Mb (256K x 8) 2.7V ~ 3.6V FLASH 0°C ~ 70°C (TA) 8-WSON 8-WDFN Exposed Pad SPI 20µs SST25
MT48LC4M32B2B5-6A XIT:L TR IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA Micron Technology Inc. Surface Mount DRAM 167MHz Volatile 128Mb (4M x 32) 3V ~ 3.6V SDRAM -40°C ~ 85°C (TA) 90-VFBGA (8x13) 90-VFBGA 5.4ns Parallel 12ns
5962-9166204MXA IC SRAM 64KBIT PARALLEL 84PGA Renesas Electronics America Inc Through Hole SRAM Volatile 64Kb (4K x 16) 4.5V ~ 5.5V SRAM - Dual Port, Synchronous -55°C ~ 125°C (TA) 84-PGA (27.94x27.94) 84-BPGA 55ns Parallel 55ns
IDT71T75902S80BGI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA Renesas Electronics America Inc Surface Mount SRAM Volatile 18Mb (1M x 18) 2.375V ~ 2.625V SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) -40°C ~ 85°C (TA) 119-PBGA (14x22) 119-BGA 8ns Parallel
CY62256L-70SNXC STANDARD SRAM, 32KX8, 70NS Rochester Electronics, LLC Surface Mount SRAM Volatile 256Kb (32K x 8) 4.5V ~ 5.5V SRAM - Asynchronous 0°C ~ 70°C (TA) 28-SOIC 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 70ns Parallel 70ns MoBL®
BR93G86NUX-3TTR IC EEPROM 16KBIT VSON008X2030 Rohm Semiconductor Surface Mount EEPROM 3MHz Non-Volatile 16Kb (2K x 8, 1K x 16) 1.7V ~ 5.5V EEPROM -40°C ~ 85°C (TA) VSON008X2030 8-UFDFN Exposed Pad SPI 5ms
BR93H86RF-2LBH2 IC EEPROM 16KBIT SPI 2MHZ 8SOP Rohm Semiconductor Surface Mount EEPROM 2MHz Non-Volatile 16Kb (1K x 16) 2.5V ~ 5.5V EEPROM -40°C ~ 125°C (TA) 8-SOP 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) SPI 4ms
BR24G04-3 IC EEPROM 4KBIT I2C 400KHZ 8DIP Rohm Semiconductor Through Hole EEPROM 400kHz Non-Volatile 4Kb (512 x 8) 1.6V ~ 5.5V EEPROM -40°C ~ 85°C (TA) 8-DIP-T 8-DIP (0.300", 7.62mm) I²C 5ms
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полупроводниковая память — это цифровое электронное устройство, используемое для хранения цифровых данных, например, в компьютерах. Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в ячейках памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) на кремниевой микросхеме памяти на интегральной схеме. Существует множество различных типов, использующих разные полупроводниковые технологии. Двумя основными типами оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая ОЗУ (SRAM), в которой используется несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ (DRAM), в которой на ячейку используется транзистор и МОП-конденсатор. В энергонезависимой памяти (такой как EPROM, EEPROM и флэш-память) используются ячейки памяти с плавающим затвором, которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.

Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа, что означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому к данным можно эффективно получить доступ в любом случайном порядке. Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски, которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным можно получить только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа, чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или прочитан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд, тогда как время доступа к вращающимся хранилищам, таким как жесткие диски, находится в диапазоне миллисекунд.

Продажи полупроводниковых чипов памяти составляет 30% полупроводниковой промышленности. Сдвиговые регистры, регистры процессора, буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.


Справочная информация по основным параметрам:

Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Memory Size (Объем памяти) — Объем, количество ячеек памяти на одном чипе.
Memory Type (Тип памяти) — Память делится на два основных типа - энергозависимая и энергонезависимая. Последнее означает что данные, помещенные в память не теряются после отключения питания.
Clock Frequency (Тактовая частота) — Частота тактовых импульсов, подающихся на отдельный вывод микросхемы и обеспечивающая переключение логических цепочек во время циклов чтения, записи, регенерации.
Access Time (Время доступа) — Одна из главных характеристик памяти, обозначающая время с момента установки адреса до появления валидных уровней на шине данных.
Write Cycle Time - Word, Page (Время цикла записи - слово, страница) — Минимальное время, отсчитываемое от установки данных на шине адреса, необходимое для записи данных в ячейки памяти.