Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти FCL 150MHz *объем* 9Mb (512K x 18)

Найдено: 60
  • IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 100-LQFP
    • Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
    • Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
    • Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 150MHz
    • Время доступа: 3.8ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 165-TBGA
    • Тип корпуса: 165-CABGA (13x15)
    • Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
    • Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
    • Технология: SRAM - Standard
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 150MHz
    • Время доступа: 3.8ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
    IDT, Integrated Device Technology Inc
    • Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 165-TBGA
    • Тип корпуса: 165-CABGA (13x15)
    • Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
    • Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 150MHz
    • Время доступа: 3.8ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CACHE SRAM, 512KX18, 3.5NS
    Cypress Semiconductor Corp
    • Производитель: Cypress Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 100-LQFP
    • Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
    • Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 150MHz
    • Время доступа: 3.5ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 165-TBGA
    • Тип корпуса: 165-CABGA (13x15)
    • Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
    • Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 150MHz
    • Время доступа: 3.8ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 119-BGA
    • Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
    • Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
    • Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 150MHz
    • Время доступа: 3.8ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • STANDARD SRAM, 512KX18, 6.5NS
    Cypress Semiconductor Corp
    • Производитель: Cypress Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 100-LQFP
    • Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
    • Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 150MHz
    • Время доступа: 6ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 165-TBGA
    • Тип корпуса: 165-CABGA (13x15)
    • Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
    • Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 150MHz
    • Время доступа: 3.8ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 100-LQFP
    • Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
    • Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
    • Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 150MHz
    • Время доступа: 3.8ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 119-BGA
    • Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
    • Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
    • Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 150MHz
    • Время доступа: 3.8ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CACHE SRAM, 512KX18, 3.5NS
    Cypress Semiconductor Corp
    • Производитель: Cypress Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 100-LQFP
    • Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
    • Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 150MHz
    • Время доступа: 3.5ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
    IDT, Integrated Device Technology Inc
    • Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 100-LQFP
    • Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
    • Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
    • Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 150MHz
    • Время доступа: 3.8ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 100-LQFP
    • Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
    • Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
    • Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 150MHz
    • Время доступа: 3.8ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 100-LQFP
    • Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
    • Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
    • Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 150MHz
    • Время доступа: 3.8ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 119-BGA
    • Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
    • Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
    • Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 150MHz
    • Время доступа: 3.8ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: