Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти FCL 104MHz *объем* 64Mb (4M x 16)
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TC)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
- Технология: PSRAM (Pseudo SRAM)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 104MHz
- Время доступа: 70ns
- Формат памяти: PSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 70ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 54-VFBGA
- Тип корпуса: 54-VFBGA (8x8)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 104MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 54-VFBGA
- Тип корпуса: 54-VFBGA (8x8)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 104MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 54-VFBGA
- Тип корпуса: 54-VFBGA (8x8)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 104MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 54-VFBGA
- Тип корпуса: 54-VFBGA (8x8)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 104MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TC)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
- Технология: PSRAM (Pseudo SRAM)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 104MHz
- Время доступа: 70ns
- Формат памяти: PSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 70ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 54-VFBGA
- Тип корпуса: 54-VFBGA (8x8)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 104MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 54-VFBGA
- Тип корпуса: 54-VFBGA (8x8)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 104MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 54-VFBGA
- Тип корпуса: 54-VFBGA (8x8)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 104MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 54-VFBGA
- Тип корпуса: 54-VFBGA (6x8)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
- Технология: PSRAM (Pseudo SRAM)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 104MHz
- Время доступа: 70ns
- Формат памяти: PSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 70ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 54-VFBGA
- Тип корпуса: 54-VFBGA (6x8)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
- Технология: PSRAM (Pseudo SRAM)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 104MHz
- Время доступа: 70ns
- Формат памяти: PSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 70ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100