Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти FCL 143MHz *объем* 512Mb (32M x 16)

Найдено: 68
  • IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TFBGA
    • Тип корпуса: 54-WBGA (11x13)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
    Alliance Memory, Inc.
    • Производитель: Alliance Memory, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 54-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 2ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 54-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 54-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
    • Package / Case: 54-TFBGA
    • Тип корпуса: 54-TFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
    Alliance Memory, Inc.
    • Производитель: Alliance Memory, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 54-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 2ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 54-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TFBGA
    • Тип корпуса: 54-WBGA (11x13)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TFBGA
    • Тип корпуса: 54-TW-BGA (8x13)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
    • Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 54-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
    • Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 54-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
    • Package / Case: 54-TFBGA
    • Тип корпуса: 54-TFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54FBGA
    Alliance Memory, Inc.
    • Производитель: Alliance Memory, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TFBGA
    • Тип корпуса: 54-FBGA (8x8)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 2ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
    Alliance Memory, Inc.
    • Производитель: Alliance Memory, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 54-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 2ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 54-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 143MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: