Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти FCL 104MHz *объем* 512Mb (32M x 16)

    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Package / Case
    • Время доступа
    • Интерфейс
    • Время цикла записи - слово, страница
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
  • S29WS512R0SBHW000
    IC FLASH 512M PARALLEL 104MHZ
    Cypress Semiconductor Corp
    • Производитель: Cypress Semiconductor Corp
    • Серия: WS-R
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 84-VFBGA
    • Тип корпуса: 84-FBGA (11.6x8)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: FLASH - NOR
    • Тип памяти: Non-Volatile
    • Тактовая частота: 104MHz
    • Время доступа: 80ns
    • Формат памяти: FLASH
    • Время цикла записи - слово, страница: 60ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • S29WS512PABBFW000
    IC FLASH 512MBIT PARALLEL 84FBGA
    Cypress Semiconductor Corp
    • Производитель: Cypress Semiconductor Corp
    • Серия: WS-P
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 84-VFBGA
    • Тип корпуса: 84-FBGA (11.6x8)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: FLASH - NOR
    • Тип памяти: Non-Volatile
    • Тактовая частота: 104MHz
    • Время доступа: 80ns
    • Формат памяти: FLASH
    • Время цикла записи - слово, страница: 60ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • S29WS512R0SBHW200E
    IC FLASH 512M PARALLEL 104MHZ
    Cypress Semiconductor Corp
    • Производитель: Cypress Semiconductor Corp
    • Серия: WS-R
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 84-VFBGA
    • Тип корпуса: 84-FBGA (11.6x8)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: FLASH - NOR
    • Тип памяти: Non-Volatile
    • Тактовая частота: 104MHz
    • Время доступа: 80ns
    • Формат памяти: FLASH
    • Время цикла записи - слово, страница: 60ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • S29WS512R0SBHW200
    IC FLASH 512M PARALLEL 104MHZ
    Cypress Semiconductor Corp
    • Производитель: Cypress Semiconductor Corp
    • Серия: WS-R
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 84-VFBGA
    • Тип корпуса: 84-FBGA (11.6x8)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: FLASH - NOR
    • Тип памяти: Non-Volatile
    • Тактовая частота: 104MHz
    • Время доступа: 80ns
    • Формат памяти: FLASH
    • Время цикла записи - слово, страница: 60ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100