Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти FCL 117MHz *объем* 4Mb (128K x 32)

Найдено: 10
  • IC SRAM 4MBIT PARALLEL 100LQFP
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
    • Package / Case: 100-LQFP
    • Тип корпуса: 100-LQFP (14x20)
    • Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
    • Объем памяти: 4Mb (128K x 32)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 117MHz
    • Время доступа: 7.5ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC SRAM 4MBIT PARALLEL 100TQFP
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
    • Package / Case: 100-LQFP
    • Тип корпуса: 100-LQFP (14x20)
    • Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
    • Объем памяти: 4Mb (128K x 32)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 117MHz
    • Время доступа: 7.5ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC SRAM 4MBIT PARALLEL 100LQFP
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
    • Package / Case: 100-LQFP
    • Тип корпуса: 100-LQFP (14x20)
    • Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
    • Объем памяти: 4Mb (128K x 32)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 117MHz
    • Время доступа: 7.5ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GALVANTECH VIDEO AMPLIFIER
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Серия: GVT71128E36
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
    • Package / Case: 100-TQFP
    • Напряжение питания: 3.3V
    • Объем памяти: 4Mb (128K x 32)
    • Технология: SRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 117MHz
    • Время доступа: 7.5ns
    • Формат памяти: SRAM
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC SRAM 4MBIT PARALLEL 100LQFP
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
    • Package / Case: 100-LQFP
    • Тип корпуса: 100-LQFP (14x20)
    • Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
    • Объем памяти: 4Mb (128K x 32)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 117MHz
    • Время доступа: 7.5ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC SRAM 4MBIT PARALLEL 100LQFP
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
    • Package / Case: 100-LQFP
    • Тип корпуса: 100-LQFP (14x20)
    • Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
    • Объем памяти: 4Mb (128K x 32)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 117MHz
    • Время доступа: 7.5ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CACHE SRAM, 128KX32, 7.5NS
    Cypress Semiconductor Corp
    • Производитель: Cypress Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 119-BGA
    • Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
    • Напряжение питания: 3.15V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 4Mb (128K x 32)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 117MHz
    • Время доступа: 7.5ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC SRAM 4MBIT PARALLEL 100TQFP
    Cypress Semiconductor Corp
    • Производитель: Cypress Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 100-LQFP
    • Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
    • Напряжение питания: 3.15V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 4Mb (128K x 32)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 117MHz
    • Время доступа: 7.5ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC SRAM 4MBIT PARALLEL 100TQFP
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
    • Package / Case: 100-LQFP
    • Тип корпуса: 100-LQFP (14x20)
    • Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
    • Объем памяти: 4Mb (128K x 32)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 117MHz
    • Время доступа: 7.5ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC SRAM 4MBIT 117MHZ
    Galvantech
    • Производитель: Galvantech
    • Серия: GVT71128E36
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
    • Package / Case: 100-TQFP
    • Напряжение питания: 3.3V
    • Объем памяти: 4Mb (128K x 32)
    • Технология: SRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 117MHz
    • Время доступа: 7.5ns
    • Формат памяти: SRAM
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: