Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти FCL 1.2GHz *объем* 4Gb (512M x 8)
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
-
- Производитель: Viking Technology
- Напряжение питания: 1.2V
- Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
- Package / Case: 78-TFBGA
- Тип корпуса: 78-FBGA (9x10.5)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
- Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Viking Technology
- Напряжение питания: 1.2V
- Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
- Package / Case: 78-TFBGA
- Тип корпуса: 78-FBGA (9x10.5)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
- Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Viking Technology
- Напряжение питания: 1.2V
- Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Viking Technology
- Напряжение питания: 1.2V
- Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TC)
- Package / Case: 78-TFBGA
- Тип корпуса: 78-FBGA (9x10.5)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
- Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 78-TFBGA
- Тип корпуса: 78-FBGA (9x10.5)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
- Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 78-TFBGA
- Тип корпуса: 78-FBGA (9x10.5)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
- Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 78-TFBGA
- Тип корпуса: 78-FBGA (9x10.5)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
- Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alliance Memory, Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 78-TFBGA
- Тип корпуса: 78-FBGA (7.5x10.6)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
- Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Время доступа: 18ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 78-TFBGA
- Тип корпуса: 78-FBGA (9x10.5)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
- Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 78-TFBGA
- Тип корпуса: 78-FBGA (9x10.5)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
- Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Время доступа: 19ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 78-TFBGA
- Тип корпуса: 78-FBGA (9x11.5)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
- Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alliance Memory, Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 78-TFBGA
- Тип корпуса: 78-FBGA (7.5x10.6)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
- Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.2GHz
- Время доступа: 18ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100