Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти FCL 1.066GHz *объем* 4Gb (256M x 16)

Найдено: 24
  • IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-FBGA (8x14)
    • Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
    • Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR3
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.066GHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-TWBGA (9x13)
    • Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
    • Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR4
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.066GHz
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-FBGA (8x14)
    • Напряжение питания: 1.283V ~ 1.45V
    • Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR3L
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.066GHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-FBGA (8x14)
    • Напряжение питания: 1.283V ~ 1.45V
    • Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR3L
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.066GHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Серия: Automotive, AEC-Q100
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-TWBGA (9x13)
    • Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
    • Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR3
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.066GHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-TWBGA (9x13)
    • Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
    • Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR4
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.066GHz
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-FBGA (8x14)
    • Напряжение питания: 1.283V ~ 1.45V
    • Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR3L
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.066GHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-FBGA (9x14)
    • Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
    • Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR3
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.066GHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 4GBIT 1.066GHZ 96FBGA
    Alliance Memory, Inc.
    • Производитель: Alliance Memory, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-FBGA (7.5x13.5)
    • Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
    • Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR3
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.066GHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Серия: Automotive, AEC-Q100
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-TWBGA (9x13)
    • Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
    • Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR3
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.066GHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Серия: Automotive, AEC-Q100
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-TWBGA (9x13)
    • Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
    • Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR3
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.066GHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Серия: Automotive, AEC-Q100
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-TWBGA (9x13)
    • Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
    • Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR3
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.066GHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Серия: Automotive, AEC-Q100
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-TWBGA (9x13)
    • Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
    • Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR3
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.066GHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-FBGA (7.5x13.5)
    • Напряжение питания: 1.283V ~ 1.45V
    • Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR3L
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.066GHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Серия: Automotive, AEC-Q100
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-TWBGA (9x13)
    • Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
    • Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR3
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.066GHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: