Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти FCL 1.866GHz *объем* 2Gb (128M x 16)
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
-
- Производитель: Winbond Electronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
- Package / Case: 200-WFBGA
- Тип корпуса: 200-WFBGA (10x14.5)
- Напряжение питания: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4X
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.866GHz
- Время доступа: 3.5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 18ns
- Интерфейс: LVSTL_11
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
- Напряжение питания: 1.1V
- Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.866GHz
- Формат памяти: DRAM
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Winbond Electronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
- Package / Case: 200-WFBGA
- Тип корпуса: 200-WFBGA (10x14.5)
- Напряжение питания: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4X
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.866GHz
- Время доступа: 3.5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 18ns
- Интерфейс: LVSTL_11
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Winbond Electronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
- Package / Case: 200-WFBGA
- Тип корпуса: 200-WFBGA (10x14.5)
- Напряжение питания: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.866GHz
- Время доступа: 3.5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 18ns
- Интерфейс: LVSTL_11
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Winbond Electronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
- Package / Case: 200-WFBGA
- Тип корпуса: 200-WFBGA (10x14.5)
- Напряжение питания: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.866GHz
- Время доступа: 3.5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 18ns
- Интерфейс: LVSTL_11
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
- Напряжение питания: 1.1V
- Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.866GHz
- Формат памяти: DRAM
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Winbond Electronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
- Package / Case: 200-WFBGA
- Тип корпуса: 200-WFBGA (10x14.5)
- Напряжение питания: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4X
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.866GHz
- Время доступа: 3.5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 18ns
- Интерфейс: LVSTL_11
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 200-WFBGA
- Тип корпуса: 200-WFBGA (10x14.5)
- Напряжение питания: 1.06V ~ 1.17V
- Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.866GHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Winbond Electronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
- Package / Case: 200-WFBGA
- Тип корпуса: 200-WFBGA (10x14.5)
- Напряжение питания: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4X
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.866GHz
- Время доступа: 3.5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 18ns
- Интерфейс: LVSTL_11
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Winbond Electronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
- Package / Case: 200-WFBGA
- Тип корпуса: 200-WFBGA (10x14.5)
- Напряжение питания: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.866GHz
- Время доступа: 3.5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 18ns
- Интерфейс: LVSTL_11
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 200-WFBGA
- Тип корпуса: 200-WFBGA (10x14.5)
- Напряжение питания: 1.06V ~ 1.17V
- Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.866GHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Winbond Electronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
- Package / Case: 200-WFBGA
- Тип корпуса: 200-WFBGA (10x14.5)
- Напряжение питания: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.866GHz
- Время доступа: 3.5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 18ns
- Интерфейс: LVSTL_11
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100