Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти FCL 1.6GHz *объем* 2Gb (128M x 16)

    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Package / Case
    • Время доступа
    • Интерфейс
    • Время цикла записи - слово, страница
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 11
  • IS43LQ16128A-062TBLI
    IC DRAM 2GBIT LVSTL 200TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 200-TFBGA
    • Тип корпуса: 200-TFBGA (10x14.5)
    • Напряжение питания: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.6GHz
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: LVSTL
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • W66BQ6NBUAFJ TR
    2GB LPDDR4X, X16, 1600MHZ, -40C~
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
    • Package / Case: 200-WFBGA
    • Тип корпуса: 200-WFBGA (10x14.5)
    • Напряжение питания: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4X
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.6GHz
    • Время доступа: 3.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 18ns
    • Интерфейс: LVSTL_11
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • W66BL6NBUAFJ TR
    2GB LPDDR4, X16, 1600MHZ, -40C~1
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
    • Package / Case: 200-WFBGA
    • Тип корпуса: 200-WFBGA (10x14.5)
    • Напряжение питания: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.6GHz
    • Время доступа: 3.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 18ns
    • Интерфейс: LVSTL_11
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AS4C128M16MD4-062BAN
    IC DRAM 2GBIT LVSTL 200FBGA
    Alliance Memory, Inc.
    • Производитель: Alliance Memory, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
    • Package / Case: 200-WFBGA
    • Тип корпуса: 200-FBGA (10x14.5)
    • Напряжение питания: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.6GHz
    • Время доступа: 3.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 18ns
    • Интерфейс: LVSTL
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • W66BQ6NBUAFJ
    2GB LPDDR4X, X16, 1600MHZ, -40C~
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
    • Package / Case: 200-WFBGA
    • Тип корпуса: 200-WFBGA (10x14.5)
    • Напряжение питания: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4X
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.6GHz
    • Время доступа: 3.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 18ns
    • Интерфейс: LVSTL_11
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • W66BP6NBUAFJ TR
    2GB LPDDR4, X16, 1600MHZ, -40C~1
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
    • Package / Case: 200-WFBGA
    • Тип корпуса: 200-WFBGA (10x14.5)
    • Напряжение питания: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.6GHz
    • Время доступа: 3.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 18ns
    • Интерфейс: LVSTL_11
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • W66BM6NBUAFJ
    2GB LPDDR4X, X16, 1600MHZ, -40C~
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
    • Package / Case: 200-WFBGA
    • Тип корпуса: 200-WFBGA (10x14.5)
    • Напряжение питания: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4X
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.6GHz
    • Время доступа: 3.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 18ns
    • Интерфейс: LVSTL_11
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • W66BM6NBUAFI TR
    2GB LPDDR4X, X16, 1600MHZ, INDUS
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 200-WFBGA
    • Тип корпуса: 200-WFBGA (10x14.5)
    • Напряжение питания: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4X
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.6GHz
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 18ns
    • Интерфейс: LVSTL_11
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • W66BM6NBUAFJ TR
    2GB LPDDR4X, X16, 1600MHZ, -40C~
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
    • Package / Case: 200-WFBGA
    • Тип корпуса: 200-WFBGA (10x14.5)
    • Напряжение питания: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4X
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.6GHz
    • Время доступа: 3.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 18ns
    • Интерфейс: LVSTL_11
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • W66BL6NBUAFJ
    2GB LPDDR4, X16, 1600MHZ, -40C~1
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
    • Package / Case: 200-WFBGA
    • Тип корпуса: 200-WFBGA (10x14.5)
    • Напряжение питания: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.6GHz
    • Время доступа: 3.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 18ns
    • Интерфейс: LVSTL_11
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • W66BP6NBUAFJ
    2GB LPDDR4, X16, 1600MHZ, -40C~1
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
    • Package / Case: 200-WFBGA
    • Тип корпуса: 200-WFBGA (10x14.5)
    • Напряжение питания: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.6GHz
    • Время доступа: 3.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 18ns
    • Интерфейс: LVSTL_11
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100