Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти FCL 133MHz *объем* 256Mb (16M x 16)

Найдено: 96
  • IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54VFBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 54-VFBGA
    • Тип корпуса: 54-VFBGA (8x14)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 14ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TFBGA
    • Тип корпуса: 54-TW-BGA (8x13)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 5.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54VFBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-VFBGA
    • Тип корпуса: 54-VFBGA (8x8)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 14ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 54-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 14ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 90-TFBGA
    • Тип корпуса: 90-TFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 54-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 5.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 54-TFBGA
    • Тип корпуса: 54-TW-BGA (8x13)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 5.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 54-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TFBGA
    • Тип корпуса: 54-TFBGA (8x8)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM - Mobile
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 6ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 60-FBGA
    • Тип корпуса: 60-FBGA (8x14)
    • Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 750ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • W958D6DKA-7M
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -25°C ~ 85°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: PSRAM (Pseudo SRAM)
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 70ns
    • Формат памяти: PSRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 54-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 5.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 90-TFBGA
    • Тип корпуса: 90-TFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 54-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 14ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 54-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 14ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: