Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти FCL 125MHz *объем* 256Mb (16M x 16)

Найдено: 5
  • IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TFBGA
    • Тип корпуса: 54-TFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM - Mobile
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 125MHz
    • Время доступа: 6ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 54-TFBGA
    • Тип корпуса: 54-TFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM - Mobile
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 125MHz
    • Время доступа: 6ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TFBGA
    • Тип корпуса: 54-TFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM - Mobile
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 125MHz
    • Время доступа: 6ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 54-TSOP II
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM - Mobile
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 125MHz
    • Время доступа: 6ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 54-TFBGA
    • Тип корпуса: 54-TFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM - Mobile
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 125MHz
    • Время доступа: 6ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: