Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти FCL 100MHz *объем* 1Mb (128K x 8)
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
-
- Производитель: Winbond Electronics
- Серия: SpiFlash®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: FLASH
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 3ms
- Интерфейс: SPI
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 6.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOP
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 50µs, 4ms
- Интерфейс: SPI - Dual I/O
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: FLASH
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 5ms
- Интерфейс: SPI
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: FLASH
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 5ms
- Интерфейс: SPI
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 6.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOP
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 50µs, 4ms
- Интерфейс: SPI - Dual I/O
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-USON (1.5x1.5)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 50µs, 4ms
- Интерфейс: SPI - Dual I/O
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
- Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Тип корпуса: 8-TSSOP
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: FLASH
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 5ms
- Интерфейс: SPI
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-USON (2x3)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 50µs, 4ms
- Интерфейс: SPI - Dual I/O
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100