Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти FCL 133MHz *объем* 1Gb (64M x 16)
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 66-TSOP
- Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
- Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 750ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 64-TBGA
- Тип корпуса: 64-TBGA (10x8)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 2V
- Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 96ns
- Формат памяти: FLASH
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 64-TBGA
- Тип корпуса: 64-TBGA (10x8)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 2V
- Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 96ns
- Формат памяти: FLASH
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 66-TSOP
- Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
- Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 750ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 66-TSOP
- Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
- Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 750ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: StrataFlash™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -30°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 64-TBGA
- Тип корпуса: 64-EasyBGA (8x10)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 2V
- Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 96ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 96ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 64-TBGA
- Тип корпуса: 64-TBGA (10x8)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 2V
- Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 96ns
- Формат памяти: FLASH
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: StrataFlash™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -30°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 64-TBGA
- Тип корпуса: 64-EasyBGA (8x10)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 2V
- Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 96ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 96ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: StrataFlash™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -30°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 64-TBGA
- Тип корпуса: 64-EasyBGA (8x10)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 2V
- Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 96ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 96ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 66-TSOP
- Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
- Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 750ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100